- Код статьи
- 10.31857/S0023476123010216-1
- DOI
- 10.31857/S0023476123010216
- Тип публикации
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 68 / Номер выпуска 1
- Страницы
- 51-57
- Аннотация
- Модифицированным методом Обреимова–Шубникова получены поликристаллические слитки Cd\(_{{1--{х}}}\)ZnхTe (x = 0.005, 0.03, 0.05). Отобранные монокристаллические блоки изучены методами рентгенофазового анализа, измерения электрических характеристик и магнитометрии. Исследована концентрационная зависимость изменения магнитных и электрических свойств кристаллов. Установлено, что при концентрации Zn (x = 0.03, 0.05) наблюдается ферромагнитное упорядочение в кластерах (включениях), содержащих железо и/или никель при 2 К, чего не наблюдается на образцах Cd\(_{{1--{х}}}\)ZnхTe (x = 0.005).
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 14.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 10
Библиография
- 1. Owens A., Peacock A. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2004. V. 531. P. 18. https://doi.org/10.1016/j.nima.2004.05.071
- 2. Takeda S. Experimental study of a Si/CdTe semiconductor Compton camera for the next generation of gamma-ray astronomy / Ph. D. Thesis. University of Tokyo. 2009.
- 3. Hubbell J.H., Seltzer S.M. Tables of X-Ray Mass Attenuation Coefficients and Mass Energy-Absorption Coefficients from 1 keV to 20 MeV for Elements Z = 1 to 92 and 48 Additional Substances of Dosimetric Interest // National Institute of Standards and Technology. 2004. NISTIR 5632. https://doi.org/10.18434/T4D01F
- 4. Del Sordo S., Abbene L., Caroli E. et al. // Sensors. 2009. V. 9 № 5. P. 3491. https://doi.org/10.3390/s90503491
- 5. Duarte D.D. Edge effects in a pixelated CdTe radiation detector / Ph. D. Thesis. University of Surrey. 2016. https://doi.org/10.13140/RG.2.2.20470.86081
- 6. Chaouai Z., Daniel G., Martinez J.M. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2022. V. 1033. P. 166670. https://doi.org/10.1016/j.nima.2022.166670
- 7. Clements N., Richtsmeier D., Hart A., Bazalova-Carter M. // J. Instrumentation. 2022. V. 17. P. 1004. https://doi.org/10.1088/1748-0221/17/01/P01004
- 8. Brombal L., Donato S., Brun F. et al. // J. Synchrotron Radiat. 2018. V. 25. P. 1068. https://doi.org/10.1107/S1600577518006197
- 9. Chen Y., Wang X., Song Q. et al. // AIP Adv. 2018. V. 8. P. 105113. https://doi.org/10.1063/1.5052027
- 10. Krucker S., Benz A.O., Hurfordal G.J. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2013. V. 732. P. 295. https://doi.org/10.1016/j.nima.2013.05.050
- 11. Krause L., Tolborg K., Gronbech T.B.E. et al. // J. Appl. Cryst. 2020. V. 53. P. 635. https://doi.org/10.1107/S1600576720003775
- 12. Павлюк М.Д. Дис. “Детекторные кристаллы на основе CdTe и Cd1 – xZnxTe для прямого счета рентгеновских и гамма-квантов”… канд. физ.-мат. наук. М.: ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН, 2020.
- 13. Шалдин Ю.В., Вархульска И., Рабаданов М.Х., Комарь В.К. // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. С. 300.
- 14. Raiss A.A., Sbai Y., Bahmad L., Benyoussef A. // J. Magn. Magn. Mater. 2015. V. 385. P. 295. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2015.02.077
- 15. Goumrhar F., Bahmad L., Mounkachi O., Benyoussef A. // J. Magn. Magn. Mater. 2017. V. 428. P. 368. https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2016.12.041
- 16. Chavan K.T., Chandra S., Kshirsagar A. // Mater. Today Commun. 2022. V. 30. P. 103104. https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2021.103104
- 17. Allahgholi A., Becker J., Delfs A. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2019. V. 942. P. 1. https://doi.org/10.1016/j.nima.2019.06.065
- 18. Zerrai A., Cherkaoui K., Marrakchi G. et al. // J. Cryst. Growth. 1999. V. 197. P. 646. https://doi.org/10.1016/S0022-0248 (98)00763-5
- 19. Marbeuf A., Druilhe R., Triboulet R., Patriarche G. // J. Cryst. Growth. 1992. V. 117. P. 10. https://doi.org/10.1016/0022-0248 (92)90707-P
- 20. Аветисов И.Х. Дис. “Физико-химические основы технологии кристаллических халькогенидов кадмия и цинка с контролируемой стехиометрией” … д-ра физ.-мат. наук. М.: РХТУ им. Д.И. Менделеева, 2011.
- 21. Косяченко А.А., Склярчук В.М., Склярчук О.В., Маслянчук О.Л. // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. С. 1323.
- 22. Prokesch M., Szeles C. // J. Appl. Phys. 2006. V. 100. P. 014503. https://doi.org/10.1063/1.2209192
- 23. Кондрик А.И. // Функциональная микроэлектроника. 2004. № 6. С. 17.
- 24. Pavlyuk M.D., Subbotin I.A., Kanevsky V.M., Artemov V.V. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 457. P. 112. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.06.046
- 25. Ivanov Yu.M. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 194. P. 309. https://doi.org/10.1016/S0022-0248 (98)00620-4
- 26. Павлюк М.Д., Каневский В.М., Иванов Ю.М. // Журн. неорган. химии. 2013. Т. 58. С. 1082. https://doi.org/10.7868/S0044457X13080187
- 27. Кондрик А.И., Ковтун Г.П. // Материалы электроники. 2019. № 4–5. С. 43. https://doi.org/10.15222/TKEA2019.5-6.43
- 28. Ivanov Yu.M., Artemov V.V., Kanevsky V.M. et al. // Eur. Phys. J. Appl. Phys. 2004. V. 27. P. 371. https://doi.org/10.1051/epjap:2004086
- 29. Комарь В.К., Наливайко Д.П., Герасименко А.С. и др. // Поверхность. Рентген. синхротр. и нейтр. исследования 2002. Т. 3. С. 94.
