- Код статьи
- 10.31857/S0023476123020091-1
- DOI
- 10.31857/S0023476123020091
- Тип публикации
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 68 / Номер выпуска 2
- Страницы
- 313-318
- Аннотация
- Наноструктуры галлия получены на кремниевых подложках методом термического испарения в атмосфере аргона. С помощью компьютерной обработки электронных микрофотографий определены размеры, плотность и форма частиц Ga. Конденсация Ga на кремниевых подложках в течение 10, 15 и 20 с обеспечила формирование частиц нескольких типов: сферической, треугольной, квадратной форм, а также в виде стержней и многогранников. Увеличение времени конденсации Ga до 20 с способствовало увеличению плотности сферических наночастиц на 41%.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 15.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 11
Библиография
- 1. Teske D., Drumheller J.E. // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V. 11 (25). P. 4935. https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/25/312
- 2. Charnaya E.V., Tien C., Lee M.K. et al. // Indium. N.-Y.: Nova Science Publ. Inc., 2013. P. 1.
- 3. Charnaya E.V., Tien C., Lin K.J. et al. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 467. https://doi.org/10.1103/physrevb.58.467
- 4. Wu P.C., Khoury C.G., Kim T.-H. et al. // J. Am. Chem. Soc. 2009. V. 131 (34). P. 12033. https://doi.org/10.1021/ja903321z
- 5. Yi C., Kim T.-H., Jiao W. et al. // Small. 2012. V. 8 (17). P. 2721. https://doi.org/10.1002/smll.201200694
- 6. Wu P.C., Kim T.-H., Brown A.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 103119. https://doi.org/10.1063/1.2712508
- 7. Losurdo M., Yi C., Suvorova A. et al. // ACS Nano 2014. V. 8 (3). P. 3031. https://doi.org/10.1021/nn500472r
- 8. Knight M.W., Coenen T., Yang Y. // ACS Nano. 2015. V. 9 (2). P. 2049. https://doi.org/10.1021/nn5072254
- 9. Küpers H., Bastiman F., Luna E. et al. // J. Cryst. Growth. 2017. V. 459. P. 43. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.11.065
- 10. Matteini F., Tütüncüoglu G., Potts H. et al. // Cryst. Growth Des. 2015. V. 15. P. 3105. https://doi.org/10.1021/acs.cgd.5b00374
- 11. Tauchnitz T., Nurmamytov T., Hübner R. et al. // Cryst. Growth Des. 2017. V. 17 (10). P. 5276. https://doi.org/10.1021/acs.cgd.7b00797
- 12. Kozhemyakin G.N., Belov Yu.S., Trufanova M.K. et al. // Inorg. Mater.: Appl. Res. 2022. V. 13 (3). P. 788. https://doi.org/10.1134/S2075113322030200
- 13. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. М.: КомКнига, 2006. 592 с.
- 14. Физические величины: Справочник. Ред. Григорьева И.С., Мейлихова Е.З. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
- 15. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия, 1988. 576 с.
- 16. Горшков В.С., Савельев В.Г., Федоров Н.Ф. Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений. М.: Высшая школа, 1988. 400 с.
- 17. Могилевский Б.М., Чудновский А.Ф. Теплопроводность полупроводников. М.: Наука, 1972. 536 с.
- 18. Чеканова В.Д., Фиалков А.С. // Успехи химии. 1971. Т. 40. № 5. С 777. https://doi.org/10.1070/RC1971v040n05ABEH001927
