- Код статьи
- 10.31857/S0023476123020212-1
- DOI
- 10.31857/S0023476123020212
- Тип публикации
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 68 / Номер выпуска 2
- Страницы
- 180-188
- Аннотация
- Представлены результаты исследований особенностей роста пленок оксида цинка, полученных на подложках сапфира методом магнетронного осаждения в неоднородном электрическом поле. Анализ пленок проведен с применением методов высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, построения полюсных фигур и электронной микроскопии. Выявлена последовательность изменения латеральной структуры по мере увеличения толщины пленки, также зависящая от локального потенциала. Так, области с более высоким потенциалом поверхности соответствуют эпитаксиальному соотношению ZnO⟨10\(\bar {1}\)0⟩(0001)||Al2O3⟨11\(\bar {2}\)0⟩(0001) с наименьшим несоответствием параметров решеток.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 15.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 11
Библиография
- 1. Izaki M., Omi T. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. № 17. P. 2439. https://doi.org/10.1063/1.116160
- 2. Kuznetsova S., Mongush E., Lisitsa K. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1145. № 1. P. 012020.
- 3. Laurenti M., Cauda V. // Coatings. 2018. V. 8. № 2. P. 67. https://doi.org/10.3390/coatings8020067
- 4. Exarhos G.J., Sharma S.K. // Thin Solid Films. 1995. V. 270. № 1–2. P. 27. https://doi.org/10.1016/0040-6090 (95)06855-4
- 5. Bachari E.M., Baud G., Amor S.B. et al. // Thin Solid Films. 1999. V. 348. № 1–2. P. 165. https://doi.org/10.1016/s0040-6090 (99)00060-7
- 6. Triboulet R., Perriere J. // Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 2003. V. 47. № 2–3. P. 65. https://doi.org/10.1016/j.pcrysgrow.2005.01.003
- 7. Муслимов А.Э., Асадчиков В.Е., Буташин А.В. и др. // Кристаллография. 2016. Т. 61. № 5. С. 703. https://doi.org/10.7868/S0023476116050143
- 8. Itagaki N., Kuwahara K., Matsushima K. et al. // Opt. Eng. 2014. V. 53. № 8. P. 087109. https://doi.org/10.1117/1.oe.53.8.087109
- 9. Trautnitz T., Sorgenfrei R., Fiederle M. // J. Crystal Growth. 2010. V. 312. № 4. P. 624. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2009.12.011
- 10. Du X.L., Murakami M., Iwaki H. et al. // Phys. Status Solidi. A. 2002. V. 192. № 1. P. 183. https://doi.org/10.1002/1521-396x (200207)192:13.0.co;2-k
- 11. Исмаилов А.М., Эмирасланова Л.Л., Рабаданов М.Х. и др. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. № 12. С. 52.
- 12. Фоломешкин М.С., Волковский Ю.А., Просеков П.А. и др. // Кристаллография. 2022. Т. 67. № 3. С. 317. https://doi.org/10.31857/S0023476122030079
- 13. Благов А.Е., Галиев Г.Б., Имамов Р.М. и др. // Кристаллография. 2017. Т. 62. № 3. С. 355. https://doi.org/10.7868/S002347611703002X
- 14. Bowen D.K., Tanner B.K. // CRC press, 1998.
- 15. Krost A., Bauer G., Woitok J. // Optical characterization of epitaxial semiconductor layers. Berlin, Heidelberg: Springer, 1996. P. 287. https://doi.org/10.1007/978-3-642-79678-4_6
- 16. Holy V., Pietsch U., Baumbach T. High-resolution X-ray Scattering from thin films and multilayers. 1999. V. 149. https://doi.org/10.1007/BFb0109385
- 17. Серегин А.Ю., Просеков П.А., Чуховский Ф.Н. и др. // Кристаллография. 2018. Т. 64. № 4. С. 521. https://doi.org/10.1134/S0023476119040180
- 18. https://www-s.nist.gov/srmors/view_detail.cfm?srm=676A
- 19. Birkholz M. // Thin Film Analysis by X-Ray Scattering. John Wiley Sons, 2006. P. 183.
- 20. Благов А.Е., Васильев А.Л., Дмитриев В.П. и др. // Кристаллография. 2017. Т. 62. № 5. С. 716. https://doi.org/10.7868/S0023476117050034
- 21. Nagao K., Kagami E. // Rigaku J. 2011. V. 27. № 2. P. 6.
- 22. Larbah Y., Adnane M., Sahraoui T. // Mater. Sci. Poland. 2015. V. 33. № 3. P. 491.
- 23. Kisi E.H., Elcombe M.M. // Acta Cryst. C. 1989. V. 45. № 12. P. 1867. https://doi.org/10.1107/S0108270189004269
- 24. Соловьев А.А., Сочугов Н.С., Оскомов К.В. и др. // Физика плазмы. 2009. Т. 35. № 5. С. 443.
- 25. Field D.J., Dew S.K., Burrell R.E. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. V. 20. № 6. P. 2032. https://doi.org/10.1116/1.1515800
