ОФНКристаллография Crystallography Reports

  • ISSN (Print) 0023-4761
  • ISSN (Online) 3034-5510

Влияние бегущего магнитного поля на параметры легированных Те монокристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского

Код статьи
10.31857/S0023476124030036-1
DOI
10.31857/S0023476124030036
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Том/ Выпуск
Том 69 / Номер выпуска 3
Страницы
393-399
Аннотация
Проведено исследование влияния бегущего магнитного поля на параметры монокристаллов GaAs, легированных Te, в диапазоне концентрации носителей заряда 5 × 1017–2 × 1018 см–3. Бегущее магнитное поле в расплаве создавалось графитовым индуктором, находящимся в камере установки вокруг основного нагревателя. Показано, что магнитное поле при высоких частотах незначительно уменьшает плотность дислокаций в кристаллах, не меняя характер распределения дислокаций по их поперечному сечению. Магнитное поле влияет на распределение примеси по оси кристалла, почти вдвое увеличивая расстояние между “полосами роста” от 9 мкм без магнитного поля до 17 мкм при частоте поля 300 Гц.
Ключевые слова
Дата публикации
15.09.2025
Год выхода
2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
68

Библиография

  1. 1. Terashima K., Fukuda T. // J. Cryst. Growth. 1983. V. 63. P. 423. https://doi.org/10.1016/0022-0248 (83)90236-1
  2. 2. Osaka J., Kohda Н., Kobayashi Т., Hoshikawa К. // Jpn. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. P. L195. https://doi.org/10.1143/JJAP.23.L195
  3. 3. Terashima K., Katsumata T., Orito F. // Jpn. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. P. L302. https://doi.org/10.1143/JJAP.23.L302
  4. 4. Hoshi K., Isawa N., Suzuki T., Ohkubo Y. // J. Electrochem. Soc. 1985. V. 132. P. 693. https://doi.org/10.1149/1.2113933
  5. 5. Terashima K., Fukuda T. // J. Cryst. Growth. 1983. V. 63. P. 425. https://doi.org/10.1016/0022-0248 (83)90236-1
  6. 6. Shiraishi Y., Takano K., Matsubara J. et al. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 229. P. 17. https://doi.org/10.1016/S0022-0248 (01)01042-9
  7. 7. Sleptsova I.V., Senchenkov A.S., Egorov A.V. et al. // Proceedings of Joint 10th European and 6th Russian Symposium on Physical Sciences in Microgravity. St. Petersburg. Russia. 15–21 June 1997. 2. P. 68.
  8. 8. Ataka M., Katoh E., Wakayama N.I. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 173. P. 592. https://doi.org/10.1016/S0022-0248 (96)00821-4
  9. 9. Yesilyurt S., Motakef S., Grugel R., Mazuruk K. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 263. P. 80. https://doi.org/10.1016/J.JCRYSGRO.2003.11.066
  10. 10. Lyubimova T.P., Croёll A., Dold P. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 266. P. 404. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.02.071
  11. 11. Rudolph P. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 1298. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.11.036
  12. 12. Gräbner O., Mühe A., Müller G. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 2000. V. 73. P. 130. https://doi.org/10.1016/S0921-5107 (99)00452-3
  13. 13. Vizman D., Gräbner O., Müller G. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 233. P. 687. https://doi.org/10.1016/S0022-0248 (01)01633-5
  14. 14. Hurle D.T.J., Series R.W. // Handbook of Crystal Growth / Ed. Hurle D.T.J. North-Holland: Elsevier, 1994. V. 2a. P. 259. https://doi.org/10.1107/S010876739709990X
  15. 15. Kimura T., Katsumata T., Nakajima M. et al. // J. Cryst. Growth. 1986. V. 79. P. 264. https://doi.org/10.1016/0022-0248 (86)90447-1
  16. 16. Ozawa S., Nakayama H., Shiina Y. et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1989. V. 96. P. 343.
  17. 17. Rudolph P., Czupalla M., Lux B. // J. Cryst. Growth. 2009. V. 311. Р. 4543. https://www.researchgate.net/publication/282977027_Crystal_growth_from_melt_in_combined_heater-magnet_modules
  18. 18. Abrachams M.S., Buiocchi C.J. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 2855. https://doi.org/10.1063/1.1714594
  19. 19. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 75. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
  20. 20. Ugova T.G., Belov A.G., Knyazev S.N. // Crystallography Reports. 2020. V. 65. P. 7. https://doi.org/10.1134/S1063774520010277
  21. 21. Патент DE10 2007 020 39 134 от 03.09.2009.
  22. 22. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 93. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
  23. 23. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 172. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
  24. 24. Scheel H.J. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 287. Р. 214. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.10.100
QR
Перевести

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Высшая аттестационная комиссия

При Министерстве образования и науки Российской Федерации

Scopus

Научная электронная библиотека