RAS PhysicsКристаллография Crystallography Reports

  • ISSN (Print) 0023-4761
  • ISSN (Online) 3034-5510

Selecting a target for obtaining films of higher manganese silicide using magnetron sputtering

PII
10.31857/S0023476124030144-1
DOI
10.31857/S0023476124030144
Publication type
Article
Status
Published
Authors
Volume/ Edition
Volume 69 / Issue number 3
Pages
487-493
Abstract
A film of manganese silicides on mica was obtained using a magnetron sputter from three types of targets. Microstructure and elemental composition of targets and films studied by scanning electron microscopy and electron reflection diffraction methods. The phase composition and texture of films by thickness (cross sections) were controlled by scanning and transmission electron microscopy. It has been shown that when depositing films from a poly- and single-crystalline target of higher manganese silicide, in contrast to a target of sintered Mn and Si powders, after successive annealing at a temperature of 800 K and a temperature of 10–3 Pa for 1 hour, polycrystalline films of higher silicide can be obtained. manganese composition Mn4Si7.
Keywords
Date of publication
15.09.2025
Year of publication
2025
Number of purchasers
0
Views
75

References

  1. 1. Шостаковский П. // Компоненты и технологии. 2009. № 12. С. 120.
  2. 2. Шостаковский П. // Компоненты и технологии. 2010. № 12. С. 131.
  3. 3. Пустовалов Ю.П., Панкин М.И., Прилепо Ю.П. и др. // Космическая техника и технологии. 2016. № 1 (12). С. 517.
  4. 4. Федоров М.И. Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния. Дис. … д-ра физ.-мат. наук. С.-П.: ФТИ им. Иоффе РАН, 2007.
  5. 5. Zaitsev V.K., Rowe D.M. // CRC Handbook of Thermoelectrics. CRC Press. 1995. P. 299.
  6. 6. Simkin B.A., Hayashi Y., Inui H. // Intermetallics. 2005. V. 13. P. 1225.
  7. 7. Chen X., Weathers A., Moore A. et al. // J. Electron. Mater. 2012. V. 41. № 6. P. 1564.
  8. 8. Zhou A.J., Zhao X.B., Zhu T.J. et al. // J. Electron. Mater. 2009. V. 38. № 7. P. 1072.
  9. 9. Itoh T., Yamada M. // J. Electron. Mater. 2009. V. 38. № 7. P. 925.
  10. 10. Иванова Л.Д. // Неорган. материалы. 2011. Т. 47. № 9. С. 1065.
  11. 11. Кульбачинский В.А. Физика наносистем. М.: Физматлит, 2022. 786 с.
  12. 12. Bekpulatov I.R., Shomukhammedova D.S., Shukurova D.M., Ibragimova B.V. // E3S Web of Conferences. 2023. V. 365. P. 05015. http://doi.org/10.1051/e3sconf/202336505015
  13. 13. Mogilatenko A., Falke M., Teichert S. et al. // Microelectron. 2002. V. 64. P. 211.
  14. 14. Клечковская В.В., Камилов Т.С., Адашева С.Т. и др. // Кристаллография. 1994. Т. 39. № 5. С. 894.
  15. 15. Суворова Е.И., Клечковская В.В. // Кристаллография. 2013. Т. 58. № 6. С. 855.
  16. 16. Орехов А.С., Камилов Т.С., Орехов А.С. и др. // Российские нанотехнологии. 2016. Т. 11. № 5–6. С. 37. http://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44547.06
  17. 17. Камилов Т.С., Клечковская В.В., Шарипов Б.З. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства гетерофазных структур на основе кремния и силицидов марганца. Ташкент: Мериюс, 2014. 179 с.
  18. 18. Берлин Е.В., Сейдман Л.А. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии. М.: Техносфера, 2010. 544 с.
  19. 19. Kamilov T.S., Rysbaev A.S., Klechkovskaya V.V. et al. // Applied Solar Energy. V. 55. P. 380. http://doi.org/10.3103/S0003701X19060057
  20. 20. Stadelmann P. JEMS electron microscopy simulation software. 2017. https://www.jems-swiss.ch/
QR
Translate

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Higher Attestation Commission

At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation

Scopus

Scientific Electronic Library