ОФНКристаллография Crystallography Reports

  • ISSN (Print) 0023-4761
  • ISSN (Online) 3034-5510

Влияние отжига кристаллов катангасита Ca3TaGa3Si2O14 на их оптическую активность

Код статьи
10.31857/S0023476124050092-1
DOI
10.31857/S0023476124050092
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Том/ Выпуск
Том 69 / Номер выпуска 5
Страницы
834-842
Аннотация
Измерены спектральные зависимости пропускания и поглощения в диапазоне длин волн 200–2500 нм кристаллов Ca3TaGa3Si2O14, вырезанных перпендикулярно оптической оси, в исходном состоянии (без отжига) и после изотермических отжигов в вакууме и на воздухе. Установлено, что отжиг в вакууме приводит к снижению, а отжиг на воздухе – к увеличению интенсивности полос поглощения. Рассмотрен спектрофотометрический метод измерения и расчета удельного угла вращения ρ плоскости поляризации света в гиротропных кристаллах по спектрам коэффициентов пропускания при разных углах между поляризатором и анализатором. Проведена нормировка спектров пропускания с целью устранения сдвигов на спектрах, связанных с особенностями измерения. Получены спектральные зависимости величин ρ для всех трех образцов, которые аппроксимированы расширенной формулой Друде; установлено влияние атмосферы отжига на величины коэффициентов данной формулы.
Ключевые слова
Дата публикации
14.09.2025
Год выхода
2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
10

Библиография

  1. 1. Милль Б.В., Буташин А.В., Ходжабагян Г.Г. и др. // Докл. АН СССР. 1982. Т. 264. № 6. С. 1385.
  2. 2. Каминский А.А. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов. М.: Наука, 1986. 271 с.
  3. 3. Клименкова А.А., Максимов Б.А., Молчанов В.Н. и др. // Кристаллография. 2007. Т. 52. № 2. С. 238.
  4. 4. Roshchupkin D.V., Irzhak D.V., Emelin E.V. et al. // 2012 IEEE Int. Ultrasonics Symp., Dresden, Germany, 2012. P. 2730. https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2012.0684
  5. 5. Sakharov S., Zabelin A., Medvedev A. et al. // 2013 IEEE Int. Ultrasonics Symp., Prague, Czech Republic, 2013. P. 1085. https://doi.org/10.1109/ULTSYM.2013.0278
  6. 6. Рощупкин Д.В., Иржак Д.В., Емелин Е.В. и др. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2015. № 3. С. 25.
  7. 7. Fu X., Villora E.G., Matsuchita Y. et al. // J. Ceram. Soc. Jpn. 2016. V. 124. № 5. P. 523. https://doi.org/10.2109/jcersj2.15293
  8. 8. Fritze H., Suhak Y., Johnson W.L., Tulleret H.L. // Electrochem. Soc. Meet. Abstracts. 2023. № 49. P. 2551. https://doi.org/10.1149/MA2023-01492551mtgabs
  9. 9. Suzuki R., Suzuki M., Kakio S., Kimura N. // Jpn. J. Appl. Phys. 2023. V. 62. № SJ. P. SJ1022. https://doi.org/10.35848/1347-4065/acb4fd
  10. 10. Wang G., Hou S., Xie L. et al. // Adv. Electron. Mater. 2024. P. 2300851. https://doi.org/10.1002/aelm.202300851
  11. 11. Chen F., Yu F., Hou S. et al. // CrystEngComm. 2014. V. 16. № 44. P. 10286. https://doi.org/10.1039/C4CE01740D
  12. 12. Kurosawa S., Kitahara M., Yokota Y. et al. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2014. V. 61. № 1. P. 339. https://doi.org/10.1109/TNS.2013.2287123
  13. 13. Han B., Huang Y., Huang J. et al. // J. Lumin. 2023. V. 258. P. 119790. https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2023.119790
  14. 14. Han B., Xiao H., Chen Y. et al. // J. Lumin. 2022. V. 251. P. 119219. https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2022.119219
  15. 15. Yang S., Zhao C., Yu P., Wang Z. // IEEE Photon. J. 2024. V. 16. № 2. P. 1. https://doi.org/10.1109/JPHOT.2024.3371466
  16. 16. Вайнштейн Б.К. Современная кристаллография. Т. 1. Симметрия кристаллов. Методы структурной кристаллографии. М.: Наука, 1979. 384 с.
  17. 17. Шубников А.В. Основы оптической кристаллографии. М.: Изд-во Академии наук СССР, 1958. 205 с.
  18. 18. Shi X., Yuan D., Wei A. et al. // Mater. Res. Bull. 2006. V. 41. № 6. P. 1052. https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2005.11.019
  19. 19. Wei A., Wang B., Qi H., Yuan D. // Cryst. Res. Technol. 2006. V. 41. № 4. P. 371. https://doi.org/10.1002/crat.200510589
  20. 20. Константинова А.Ф., Гречушников Б.Н., Бокуть Б.В., Валяшко Е.Г. Оптические свойства кристаллов. Минск: Наука и техника, 1995. 302 с.
  21. 21. Heimann R.B., Hengst M., Rossberg M., Bohm J. // Phys. Status Solidi. A. 2003. V. 195. № 2. P. 468. https://doi.org/10.1002/pssa.200305950
  22. 22. Батурина О.А., Гречушников Б.Н., Каминский А.А. и др. // Кристаллография. 1987. Т. 32. Вып. 2. С. 406.
  23. 23. Константинова А.Ф., Головина Т.Г., Дудка А.П. // Кристаллография. 2018. Т. 63. № 2. С. 218. https://doi.org/10.7868/S0023476118020091
  24. 24. Шубников А.В., Флинт Е.Е., Бокий Г.Б. Основы кристаллографии. М.: Изд-во АН СССР, 1940. 488 с.
  25. 25. Забелина Е.В., Козлова Н.С., Бузанов О.А. // Оптика и спектроскопия. 2023. Т. 131. Вып. 5. С. 634. https://doi.org/10.21883/OS.2023.05.55715.67-22
  26. 26. Wang Z., Cheng X., Yuan D. et al. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 249. № 1–2. P. 240. https://doi.org/10.1016/S0022-0248 (02)02112-7
  27. 27. Chen J., Shi E., Zheng Y. et al. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 292. № 2. P. 404. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.04.044
  28. 28. Wang Z., Yuan D., Shi X. et al. // J. Alloys Compd. 2004. V. 373. № 1–2. P. 287. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2003.11.008
  29. 29. Забелина Е.В. Дис. “Неоднородности в кристаллах лантан-галлиевого танталата и их влияние на оптические свойства”… канд. физ.-мат. наук. М.: МИСИС, 2018. 150 с.
  30. 30. Standard Operating Procedure Agilent Technologies – Cary 7000 Universal Measurement Spectrophotometer (UMS). University at Buffalo, 2024. P. 1. https://www.buffalo.edu/shared-facilities-equip/facilities-equipment/MaterialsCharacterizationLabs.host.html/content/shared/www/shared-facilities-equip/equipment-list/agilent-cary-7000.detail.html
  31. 31. Кизель В.А., Бурков В.И. Гиротропия кристаллов. М.: Наука, 1980. 304 с.
QR
Перевести

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Высшая аттестационная комиссия

При Министерстве образования и науки Российской Федерации

Scopus

Научная электронная библиотека