Автоионные источники для исследования и модификации структуры аморфных и кристаллических материалов

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

Описаны системы со сфокусированным ионным пучком, использующие газовые автоионные источники. В историческом контексте рассмотрены принципы работы таких источников и способы их формирования, эффективная область ионизации в которых определяется размерами одного атома. Описываемые системы имеют широкий спектр приложений как в области сканирующей ионной микроскопии в сочетании с различными аналитическими методами, так и в области модификации с высоким разрешением электрических, оптических, магнитных и других свойств материалов. Такая модификация основана на ионно-индуцированном изменении структуры материала и наиболее ярко выражена в кристаллических полупроводниках, сверхпроводниках и магнетиках.

105 0

Стимулированное электронным пучком образование люминесцентных углеродных комплексов в гексагональном нитриде бора

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

Исследовано изменение интенсивности катодолюминесценции гексагонального нитрида бора в коротковолновой части спектра в процессе возбуждения электронным пучком. Показано, что интенсивность пика на длине волны 215 нм, связываемого с переходами зона–зона, убывает в процессе возбуждения электронами и стремится к стационарному значению, в то время как интенсивность пика на длине волны 320 нм возрастает под действием электронного облучения. Эта полоса, вероятно, обусловлена образованием центров люминесценции под действием электронного облучения.

122 0

Люминесценция оксидных пленок, полученных молекулярным наслаиванием

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

Показаны возможности метода люминесценции при исследовании структур Si–оксид и Si–SiO₂–оксид. Предложена модель электронного строения слоев Ta₂O₅ и TiO₂, позволяющая объяснить вид спектрального распределения люминесценции независимо от способа ее возбуждения. Сопоставление спектров люминесценции одиночных оксидных слоев со спектром структур Si–SiO₂–оксид позволило сделать заключение о процессах взаимодействия между слоями при формировании слоистой структуры и оценить ширину запрещенной зоны: Ta₂O₅– 4.4 эВ, TiO₂– 3.3 эВ. Формирование Ta₂O₅ на поверхности SiO₂ приводило к трансформации в приповерхностной области SiO₂, проявляющейся в уменьшении интенсивности полосы люминесценции 1.9 эВ, и образованию дефектов – центров люминесценции в области 3 эВ. Синтез TiO₂ на поверхности SiO₂ не сопровождался изменениями в спектрах люминесценции.

128 0