Автоионные источники для исследования и модификации структуры аморфных и кристаллических материалов

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

Описаны системы со сфокусированным ионным пучком, использующие газовые автоионные источники. В историческом контексте рассмотрены принципы работы таких источников и способы их формирования, эффективная область ионизации в которых определяется размерами одного атома. Описываемые системы имеют широкий спектр приложений как в области сканирующей ионной микроскопии в сочетании с различными аналитическими методами, так и в области модификации с высоким разрешением электрических, оптических, магнитных и других свойств материалов. Такая модификация основана на ионно-индуцированном изменении структуры материала и наиболее ярко выражена в кристаллических полупроводниках, сверхпроводниках и магнетиках.

106 0

Структура доменных и антифазных границ в κ-фазе оксида галлия

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

Представлены результаты экспериментального исследования реальной структуры тонких пленок κ-фазы оксида галлия. Методами дифракции обратно отраженных электронов в сканирующем электронном микроскопе и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что микро-монокристаллы κ-оксида галлия состоят из совокупности трех типов поворотных доменов орторомбической симметрии, повернутых друг относительно друга на угол 120° вокруг оси роста. Монокристаллические домены характеризуются большой плотностью прямолинейных антифазных границ, формирующих при своем пересечении структуру значительной доли доменных границ.

117 0

Стимулированное электронным пучком образование люминесцентных углеродных комплексов в гексагональном нитриде бора

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

Исследовано изменение интенсивности катодолюминесценции гексагонального нитрида бора в коротковолновой части спектра в процессе возбуждения электронным пучком. Показано, что интенсивность пика на длине волны 215 нм, связываемого с переходами зона–зона, убывает в процессе возбуждения электронами и стремится к стационарному значению, в то время как интенсивность пика на длине волны 320 нм возрастает под действием электронного облучения. Эта полоса, вероятно, обусловлена образованием центров люминесценции под действием электронного облучения.

123 0

Структура и электропроводность тонких пленок нитрида алюминия на кремнии

Номер выпуска 1 от 01.01.2024

Пленки нитрида алюминия синтезированы с помощью метода реактивного магнетронного напыления на кремниевых подложках n-Si (100). Слои AlN толщиной от 2 до 150 нм получены с целью установления корреляции между строением пленок и их электропроводностью. С помощью электронной микроскопии установлено, что по мере удаления от поверхности подложки аморфное строение пленки переходило к нанокристаллическому. Пленки с толщинами до 20 нм имели высокую проводимость до 10 (Ом·см)^–1, при увеличении толщины проводимость резко падала до 10^–7 (Ом·см)^–1. Предполагается, что высокая проводимость тонких слоев AlN обусловлена высокой плотностью границ зерен, встроенных в аморфную матрицу.

111 0