By this author

Синтез тонкой пленки металлогидрида Mg₂NiH₄ на никелевой подложке

Issue number 1 from 01.01.2024

Работа продолжает начатое ранее исследование процесса синтеза гидрида интерметаллида Mg₂NiH₄ в реакции между никелевой фольгой и гидридом магния MgH₂ в атмосфере водорода при давлениях, превышающих давление разложения как MgH₂, так и Mg₂NiH₄. Синтез проводился при температурах 400 и 475°C. В совокупности с результатами, полученными ранее при температуре 450°C, установлено, что после прохождения некоторого времени инкубации рост толщины пленки Mg₂NiH₄ линейно зависит от времени. Во время инкубации происходит синтез подслоя интерметаллида MgNi₂. Совокупность этих данных свидетельствует о справедливости предложенного ранее механизма синтеза, лимитирующим фактором которого является диффузионное поступление с постоянной скоростью атомов никеля по подслою MgNi₂. На основании анализа рентгенодифракционных данных сделан вывод, что для всех трех температур синтеза толщина подслоя MgNi₂ примерно одинакова. С использованием метода термодесорбционной спектроскопии установлены скорости роста пленок для всех трех температур и на основании этих данных определены кинетические параметры диффузии атомов никеля в подслое интерметаллида MgNi₂.

116 0

Люминесценция оксидных пленок, полученных молекулярным наслаиванием

Issue number 1 from 01.01.2024

Показаны возможности метода люминесценции при исследовании структур Si–оксид и Si–SiO₂–оксид. Предложена модель электронного строения слоев Ta₂O₅ и TiO₂, позволяющая объяснить вид спектрального распределения люминесценции независимо от способа ее возбуждения. Сопоставление спектров люминесценции одиночных оксидных слоев со спектром структур Si–SiO₂–оксид позволило сделать заключение о процессах взаимодействия между слоями при формировании слоистой структуры и оценить ширину запрещенной зоны: Ta₂O₅ – 4.4 эВ, TiO₂ – 3.3 эВ. Формирование Ta₂O₅ на поверхности SiO₂ приводило к трансформации в приповерхностной области SiO₂, проявляющейся в уменьшении интенсивности полосы люминесценции 1.9 эВ, и образованию дефектов – центров люминесценции в области 3 эВ. Синтез TiO₂ на поверхности SiO₂ не сопровождался изменениями в спектрах люминесценции.

129 0