By this author

Defect structure of tin-doped inas single crystals grown by the Czochralski method

Issue number 3 from 01.03.2024

Обнаружены различные нарушения структурного совершенства монокристаллов арсенида индия InAs, сильно легированных Sn, которые зависят от концентрации Sn в различных участках кристалла. При низких концентрациях носителей заряда (электронов) ~1.5 × 10¹⁸ см^–3 в начальных участках кристалла наблюдается необычное кольцеобразное распределение дислокаций в поперечном сечении. Плотность дислокаций при этом была в диапазоне (0.1–1.0) × 10⁴ см^–2. При концентрации носителей заряда более 4.0 × 10¹⁸ см^–3 в конечных участках кристаллов наблюдаются включения индия, а также “вицинальные холмики”. Плотность дислокаций в конечных сечениях кристаллов, в которых упомянутые выше дефекты не наблюдаются, была в диапазоне (0.4–2.1) × 10⁴ см^–2.

120 0