Статьи автора

Морфология и пространственное распределение упорядоченных доменов в GaInP/GaAs(001) по данным просвечивающей электронной микроскопии

Номер выпуска 4 от 01.04.2024

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована структура эпитаксиальных пленок твердого раствора GaInP, в которых происходит упорядочение. Пленки выращены методом металлоорганической газофазной эпитаксии на подложках GaAs(001) вблизи точки половинного состава. В процессе исследования проанализированы темнопольные изображения, полученные с использованием сверхструктурных отражений, для поперечного и планарного сечений пленок. Определена морфология и взаимное пространственное расположение упорядоченных доменов. Обнаружено явление спонтанной самоорганизации областей с вариантами упорядочения CuPt–B⁺ и CuPt–B^– вблизи поверхности, в то время как в объеме пленки домены располагаются однородно и взаимно перекрывают друг друга. Эффект пространственного разделения доменов связывают с релаксацией напряжений несоответствия в растущем эпитаксиальном слое, приводящей к изменению рельефа поверхности.

113 0

Светоизлучающие AlGaAs/GaAs-диоды на основе InGaAs скомпенсированных квантовых ям с минимизированными внутренними потерями на поглощение излучения 940 нм

Номер выпуска 4 от 01.04.2024

Разработаны ИК-светоизлучающие диоды на основе InGaAs/AlGaAs множественных квантовых ям и Al_xGa_1–xAs_yP_1–y-слоев, компенсирующих напряжения в активной области. Исследованы оптические потери на поглощение генерируемого активной областью излучения (λ = 940 нм) при различном уровне легирования подложек n-GaAs. Показано, что уменьшение уровня донорного легирования с 4 × 10¹⁸ до 5 × 10¹⁷ см^–3 дает прирост квантовой эффективности светодиодов ~ 30%. Разработана технология, позволяющая полностью нивелировать оптические потери на поглощение при выводе излучения. Путем удаления подложки и переноса структуры прибора на подложку-носитель с формированием тыльного металлического отражателя созданы светодиоды, демонстрирующие двукратное повышение внешней квантовой эффективности и КПД (~40%) по сравнению с технологией вывода излучения через подложку n-GaAs.

124 0