By this author

Conduction band electronic states of ultrathin furan-phenylene co-oligomer on the surfaces of oxidized silicon and of layer-by-layer grown zinc oxide

Issue number 4 from 01.04.2024

Приведены результаты исследования электронных состояний зоны проводимости ультратонких пленок фуран-фениленового соолигомера 1,4-бис(5-фенилфуран-2-ил)бензола и пограничного потенциального барьера при формировании этих пленок на поверхности (SiO₂)n-Si и послойно осажденного ZnO. В процессе формирования пленки соолигомера толщиной 8–10 нм применяли методику электронной спектроскопии полного тока, исследовали энергетический диапазон от 5 до 20 эВ выше E_F. Пленки фуран-фениленового соолигомера на поверхности (SiO₂)n-Si обладают доменной структурой с характерным размером домена ~1 × 1 мкм и шероховатостью поверхности в рамках домена не более 1 нм. Пленки на поверхности ZnO имеют зернистую структуру с высотой зерна 40–50 нм.

110 0