Представлены результаты исследования роста кристаллов производного пара-терфенила – 4,4"-ди-трет-бутил-пара-терфенила (tBu-3P-tBu). Методом спектрофотометрии установлена растворимость соединения в толуоле при 20°С. Впервые методами роста из растворов и парового физического транспорта получены монокристаллы tBu-3P-tBu до 1 см в длину и с помощью монокристальной рентгеновской дифракции расшифрована их структура при 85 К в триклинной пр. гр. P1 (Z = 8). Плоские прямоугольные кристаллы с наилучшими морфологическими характеристиками выращены из пара. На развитой грани таких кристаллов отмечается наличие элементарных ступеней роста высотой 1.4 нм, соответствующих молекулярным монослоям в ориентации плоскости (001). Установлено наличие полиморфного перехода при 229.2°С и мезоморфной жидкокристаллической фазы выше температуры плавления 255.6°С.
Представлены результаты исследований кристаллизации антрацена, тетрацена и пентацена в условиях парового физического транспорта в ростовых системах с одно- и двузонным тепловыми полями. Методами дифференциально-сканирующей калориметрии и термогравиметрического анализа исследованы особенности фазового поведения и термостабильность соединений с целью установления тепловых режимов возгонки веществ, обеспечивающих рост кристаллов без ущерба от химической деградации. Для ростовых систем с одно- и двузонным тепловыми полями определены условия для выращивания кристаллов сантиметрового масштаба (0.2–2 см). На основе выращенных кристаллов пентацена изготовлена серия полевых транзисторов в геометрии с верхними электродами стока/истока и верхним затвором и исследованы их электрические характеристики.
Монокристаллы транс-стильбена представляют большой интерес как сцинтилляторы, характеризующиеся высоким световыходом. Используя метод роста из раствора анизола, выращены объемные монокристаллы транс-стильбена. Получены спектры пропускания, фотолюминесценции и исследована кинетика распада фотолюминесценции монокристалла. Также исследованы сцинтилляционные свойства элемента (17 × 12 × 5 мм), изготовленного из выращенного кристалла транс-стильбена при облучении γ- и рентгеновским излучением. Показано, что световыход полученного кристалла не уступает световыходу сцинтилляционного детектора на основе кристалла транс-стильбена (31.5 × 10 мм), выращенного из расплава.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации