В интервале температур 100–350 К на частотах 5–500 кГц изучены диэлектрические свойства композиционного материала, полученного внедрением соли сегнетоэлектрика Rb2ZnCl4 в пористую стеклянную матрицу со средним размером сквозных пор ~46 нм. Обнаружено увеличение глубины дисперсии диэлектрической проницаемости Δε при охлаждении образца, обусловленное повышением концентрации релаксаторов и ростом значения их дипольного момента. Анализ особенностей диэлектрического отклика показал, что в сегнетоэлектрической фазе частиц Rb2ZnCl4 формируется доменная структура, подвижность которой вблизи температуры замораживания Tf подчиняется эмпирическому соотношению Фогеля–Фулчера.
Indexing
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation