Статьи автора

Диэлектрическая релаксация в наносегнетоэлектрике с несоразмерной фазой Rb₂ZnCl₄

Номер выпуска 5 от 01.05.2023

В интервале температур 100–350 К на частотах 5–500 кГц изучены диэлектрические свойства композиционного материала, полученного внедрением соли сегнетоэлектрика Rb₂ZnCl₄ в пористую стеклянную матрицу со средним размером сквозных пор ~46 нм. Обнаружено увеличение глубины дисперсии диэлектрической проницаемости Δε при охлаждении образца, обусловленное повышением концентрации релаксаторов и ростом значения их дипольного момента. Анализ особенностей диэлектрического отклика показал, что в сегнетоэлектрической фазе частиц Rb₂ZnCl₄ формируется доменная структура, подвижность которой вблизи температуры замораживания T_f подчиняется эмпирическому соотношению Фогеля–Фулчера.

51 0