By this author

Формирование полярной сегнетоэлектрической фазы в пленках HfO₂ в зависимости от условий отжига и химических свойств примесей

Issue number 1 from 15.09.2025

Методом Ритвельда проведен количественный фазовый анализ активного слоя HfO₂ в слоистых структурах Si-sub./SiO₂/HfO₂/TiN в зависимости от температуры отжига и сорта легирующей примеси. Дополнительно проведены исследования кристаллической структуры HfO₂ методом просвечивающей электронной микроскопии. Обнаружена связь между валентностью примеси и формирующимися в пленке HfO₂ кристаллическими фазами. Показано, что легирование Al с последующим высокотемпературным отжигом в хорошей степени предотвращает образование тетрагональной фазы (пр. гр. P42/nmc) в пользу формирования полярной орторомбической фазы (пр. гр. Pca2₁). Полученные результаты могут быть применены при синтезе сегнетоэлектрических пленок на основе HfO₂ для их использования в энергонезависимых системах памяти.

57 0