Материалы MnBi2Te4, Mn(Bi,Sb)2Te4 и MnBi2Te4(Bi2Te3)m (где m ≥ 1) относятся к классу магнитных топологических изоляторов. Для успешного применения данных материалов в устройствах наноэлектроники необходимо всестороннее изучение их электронной структуры и магнитных свойств в зависимости от соотношения атомов Bi/Sb и количества (m) блоков Bi2Te3. Изучались магнитные свойства поверхности соединений MnBi2Te4, MnBi4Te7 и Mn(Bi1–xSbx)2Te4 (где x = 0.43, 0.32) при помощи магнитооптического эффекта Керра. Показано, что температуры магнитных переходов на поверхности и в объеме MnBi4Te7 и Mn(Bi,Sb)2Te4 существенно различаются.
