By this author

Люминесценция оксидных пленок, полученных молекулярным наслаиванием

Issue number 1 from 15.09.2025

Показаны возможности метода люминесценции при исследовании структур Si–оксид и Si–SiO₂–оксид. Предложена модель электронного строения слоев Ta₂O₅ и TiO₂, позволяющая объяснить вид спектрального распределения люминесценции независимо от способа ее возбуждения. Сопоставление спектров люминесценции одиночных оксидных слоев со спектром структур Si–SiO₂–оксид позволило сделать заключение о процессах взаимодействия между слоями при формировании слоистой структуры и оценить ширину запрещенной зоны: Ta₂O₅ – 4.4 эВ, TiO₂ – 3.3 эВ. Формирование Ta₂O₅ на поверхности SiO₂ приводило к трансформации в приповерхностной области SiO₂, проявляющейся в уменьшении интенсивности полосы люминесценции 1.9 эВ, и образованию дефектов – центров люминесценции в области 3 эВ. Синтез TiO₂ на поверхности SiO₂ не сопровождался изменениями в спектрах люминесценции.

65 0