Изучена зависимость изменения компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кубического фоторефрактивного кристалла Bi12SiO20 от направления волнового вектора голографической решетки в кристаллографической системе координат. Показано, что при записи фазовой голограммы наибольшее изменение показателя преломления кристалла Bi12SiO20 достигается при ориентации волнового вектора голографической решетки вдоль симметрично эквивалентных направлений <111>. Установлено, что максимально возможная амплитуда модуляции показателя преломления голографической решетки при ориентации ее волнового вектора вдоль направлений <110> оказывается больше, чем при ориентации вдоль направлений <100>. При расчетах компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла Bi12SiO20 принималось в учет, что запись фазовой голограммы происходит под действием линейного электрооптического, фотоупругого и обратного пьезоэлектрического эффектов.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation