Представлены результаты подготовки и наземной отработки космического эксперимента по выращиванию кристаллов Ge(Ga), планируемого на борту многофункционального лабораторного модуля в составе российского сегмента Международной космической станции. В условиях, моделирующих микрогравитацию, исследованы особенности формирования концентрационной неоднородности в виде полос роста при выращивании кристаллов в различных тепловых условиях (при наличии или отсутствии свободной поверхности расплава (конвекции Марангони)), а также при изменении технологических параметров (вариации скорости роста). По полученным результатам металлографических и электрофизических исследований сделаны выводы об особенностях влияния в условиях микрогравитации технологических параметров процесса кристаллизации на структурное совершенство выращиваемых кристаллов.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации