By this author

Light-emitting AlGaAs/GaAs diodes based on ingaas strain-compensated quantum wells with minimized internal losses OF 940 nm radiation absorption

Issue number 4 from 15.09.2025

Разработаны ИК-светоизлучающие диоды на основе InGaAs/AlGaAs множественных квантовых ям и Al_xGa_1–xAs_yP_1–y-слоев, компенсирующих напряжения в активной области. Исследованы оптические потери на поглощение генерируемого активной областью излучения (λ = 940 нм) при различном уровне легирования подложек n-GaAs. Показано, что уменьшение уровня донорного легирования с 4 × 10¹⁸ до 5 × 10¹⁷ см^–3 дает прирост квантовой эффективности светодиодов ~ 30%. Разработана технология, позволяющая полностью нивелировать оптические потери на поглощение при выводе излучения. Путем удаления подложки и переноса структуры прибора на подложку-носитель с формированием тыльного металлического отражателя созданы светодиоды, демонстрирующие двукратное повышение внешней квантовой эффективности и КПД (~40%) по сравнению с технологией вывода излучения через подложку n-GaAs.

74 0