By this author

Analysis of crystal structure of epitaxial nanoheterostructures with multiple pseudomorphic quantum wells {In_хGa₁_–хAs/GaAs} on GaAs (100), (110) AND (111) )<I>А</I> substrates

Issue number 1 from 15.09.2025

Исследована кристаллическая структура эпитаксиальных многослойных пленок {In_0.1Ga_0.9As/GaAs} × × 10 и {In_0.2Ga_0.8As/GaAs} × 10 на подложках GaAs с различной ориентацией (100), (110), (111)А с целью выявления особенностей, которые могут быть связаны с обнаруженной ранее повышенной эффективностью генерации терагерцевого излучения в пленках с ориентацией (110) и (111)А. Обнаружены существенные концентрации двойников и дефектов упаковки в пленках на нестандартных подложках GaAs (110) и (111)А. С помощью анализа осцилляций толщины на кривых дифракционного отражения уточнен состав и толщины отдельных слоев гетероструктур на подложках GaAs (100).

72 0