Представлены результаты исследования роста кристаллов производного пара-терфенила – 4,4"-ди-трет-бутил-пара-терфенила (tBu-3P-tBu). Методом спектрофотометрии установлена растворимость соединения в толуоле при 20°С. Впервые методами роста из растворов и парового физического транспорта получены монокристаллы tBu-3P-tBu до 1 см в длину и с помощью монокристальной рентгеновской дифракции расшифрована их структура при 85 К в триклинной пр. гр. P1 (Z = 8). Плоские прямоугольные кристаллы с наилучшими морфологическими характеристиками выращены из пара. На развитой грани таких кристаллов отмечается наличие элементарных ступеней роста высотой 1.4 нм, соответствующих молекулярным монослоям в ориентации плоскости (001). Установлено наличие полиморфного перехода при 229.2°С и мезоморфной жидкокристаллической фазы выше температуры плавления 255.6°С.
Представлены результаты исследований кристаллизации антрацена, тетрацена и пентацена в условиях парового физического транспорта в ростовых системах с одно- и двузонным тепловыми полями. Методами дифференциально-сканирующей калориметрии и термогравиметрического анализа исследованы особенности фазового поведения и термостабильность соединений с целью установления тепловых режимов возгонки веществ, обеспечивающих рост кристаллов без ущерба от химической деградации. Для ростовых систем с одно- и двузонным тепловыми полями определены условия для выращивания кристаллов сантиметрового масштаба (0.2–2 см). На основе выращенных кристаллов пентацена изготовлена серия полевых транзисторов в геометрии с верхними электродами стока/истока и верхним затвором и исследованы их электрические характеристики.
Представлены результаты исследования роста кристаллов пара-кватерфенила (4P) и его производного – 4,4'''-бис(триметилсилил)-пара-кватерфенила (TMS-4P-TMS) из растворов. Установлено, что кристаллы TMS-4P-TMS обладают лучшими характеристиками роста в сравнении с 4Р. Методом дифференциальной сканирующей калориметрии уточнены параметры фазовых переходов 4P и TMS-4P-TMS в закрытых тиглях. С помощью монокристальной рентгеновской дифракции впервые расшифрована структура кристаллов TMS-4P-TMS в триклинной пр. гр. P1 (Z = 2) и исследована в широком температурном диапазоне. Выполнен кристаллохимический анализ исследуемых соединений в кристаллах по методу поверхностей Хиршфельда и проведено моделирование межмолекулярных взаимодействий.
Представлены результаты исследования фотолюминесцентных и рентгенолюминесцентных свойств кристаллического элемента п-терфенила, изготовленного из монокристалла, выращенного из расплава по методу Бриджмена. Получены и проанализированы спектры пропускания, фото- и рентгенолюминесценции кристалла. Для монокристала п-терфенила исследованы кинетики распада фото- и рентгенолюминесценции и определен абсолютный световыход рентгенолюминесценции.
Представлены исследования кристаллизации и абсорбционно-флуоресцентных свойств линейных сопряженных молекул на основе 2,1,3-бензотиадиазола: 4,7-бис(2,5-диметил-[1,1'-бифенил]-4-ил)бензотиадиазол (Ph-Xy-BTD) и 4,7-бис(4'-гексил-2,5-диметил-[1,1'-бифенил]-4-ил)бензотиадиазол (Hex-Ph-Xy-BTD). Описан синтез нового производного Hex-Ph-Xy-BTD. Установлено, что наличие концевых н-гексильных заместителей в Hex-Ph-Xy-BTD приводит к снижению температуры плавления, увеличению растворимости и оказывает положительное воздействие на кристаллизацию в сравнении с Ph-Xy-BTD. Из раствора гексана выращены монокристаллы Hex-Ph-Xy-BTD и методом монокристальной рентгеновской дифракции расшифрована их структура в моноклинной системе (пр. гр. P21/c, Z = 4). Для растворов в тетрагидрофуране и кристаллов Ph-Xy-BTD и Hex-Ph-Xy-BTD получены и проанализированы спектры поглощения и флуоресценции, исследованы квантовый выход и время жизни флуоресценции.
Монокристаллы транс-стильбена представляют большой интерес как сцинтилляторы, характеризующиеся высоким световыходом. Используя метод роста из раствора анизола, выращены объемные монокристаллы транс-стильбена. Получены спектры пропускания, фотолюминесценции и исследована кинетика распада фотолюминесценции монокристалла. Также исследованы сцинтилляционные свойства элемента (17 × 12 × 5 мм), изготовленного из выращенного кристалла транс-стильбена при облучении γ- и рентгеновским излучением. Показано, что световыход полученного кристалла не уступает световыходу сцинтилляционного детектора на основе кристалла транс-стильбена (31.5 × 10 мм), выращенного из расплава.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation