В интервале температур 100–350 К на частотах 5–500 кГц изучены диэлектрические свойства композиционного материала, полученного внедрением соли сегнетоэлектрика Rb2ZnCl4 в пористую стеклянную матрицу со средним размером сквозных пор ~46 нм. Обнаружено увеличение глубины дисперсии диэлектрической проницаемости Δε при охлаждении образца, обусловленное повышением концентрации релаксаторов и ростом значения их дипольного момента. Анализ особенностей диэлектрического отклика показал, что в сегнетоэлектрической фазе частиц Rb2ZnCl4 формируется доменная структура, подвижность которой вблизи температуры замораживания Tf подчиняется эмпирическому соотношению Фогеля–Фулчера.
В интервале температур 20–110°C изучено влияние электрического смещающего поля E= (0–10 кВ/см) на диэлектрические свойства сополимера VDF60/Tr40. Обнаружено, что диэлектрическая нелинейность De, отрицательная в полярной фазе, становится положительной выше температуры Кюри (TC). Повышение TC под действием поля E= не является равномерным. При E= < Ec (Ec – пороговое поле) температура Кюри практически не зависит от E=. При E= > Ec наблюдается ее повышение. Наличие порогового поля свидетельствует о наличии источников случайных электрических полей в исследуемом материале. Предполагается, что именно они ответственны за размытие сегнетоэлектрического фазового перехода.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation