Статьи автора

Диэлектрическая релаксация в наносегнетоэлектрике с несоразмерной фазой Rb₂ZnCl₄

Номер выпуска 5 от 15.09.2025

В интервале температур 100–350 К на частотах 5–500 кГц изучены диэлектрические свойства композиционного материала, полученного внедрением соли сегнетоэлектрика Rb₂ZnCl₄ в пористую стеклянную матрицу со средним размером сквозных пор ~46 нм. Обнаружено увеличение глубины дисперсии диэлектрической проницаемости Δε при охлаждении образца, обусловленное повышением концентрации релаксаторов и ростом значения их дипольного момента. Анализ особенностей диэлектрического отклика показал, что в сегнетоэлектрической фазе частиц Rb₂ZnCl₄ формируется доменная структура, подвижность которой вблизи температуры замораживания T_f подчиняется эмпирическому соотношению Фогеля–Фулчера.

13 0

Линейный и нелинейный диэлектрический отклик сополимера vdf60/tr40 в окрестностях сегнетоэлектрического фазового перехода

Номер выпуска 6 от 15.09.2025

В интервале температур 20–110°C изучено влияние электрического смещающего поля E₌ (0–10 кВ/см) на диэлектрические свойства сополимера VDF₆₀/Tr₄₀. Обнаружено, что диэлектрическая нелинейность De, отрицательная в полярной фазе, становится положительной выше температуры Кюри (T_C). Повышение T_C под действием поля E₌ не является равномерным. При E₌ < E_c (E_c – пороговое поле) температура Кюри практически не зависит от E₌. При E₌ > E_c наблюдается ее повышение. Наличие порогового поля свидетельствует о наличии источников случайных электрических полей в исследуемом материале. Предполагается, что именно они ответственны за размытие сегнетоэлектрического фазового перехода.

12 0