Русский

English en
Русский ru

О журнале
Архив
Контакты

Везде

Везде
Автор
Заголовок
Текст
Ключевые слова

Главная>Номер выпуска 4

Выпуск 4

Том: 69

Дата публикации: 01.04.2024

Открытый доступ

Кристаллография, Номер выпуска 4

Перечень статей выпуска 4

Автор(ы)

Страницы

ДИФРАКЦИЯ И РАССЕЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ

Численное моделирование эффекта фокусировки рентгеновских лучей с помощью рефракционно-дифракционной линзы

Стр. 567-574

Автор(ы): Кон В. Г.

Кон В. Г.

567-574

КРИСТАЛЛОХИМИЯ

Быстрый численный расчет рентгеновской дифракции от кристаллических микросистем

Стр. 575-580

Автор(ы): Пунегов В. И.

Пунегов В. И.

575-580

СТРУКТУРА НЕОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ

Растворение примесей в натрий-гадолиниевом молибдате NaGd(MoO₄)₂

Стр. 581-588

Автор(ы): Дудникова В. Б.

Дудникова В. Б.

581-588

СТРУКТУРА ОРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ

Новые тройные интерметаллиды R₄Ru₂Ga₃ (R = Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er)

Стр. 589-596

Автор(ы): Грехов И. А.

Грехов И. А.

589-596

ДИНАМИКА РЕШЕТКИ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ

Разнообразие структурных блоков [M(IO₃)₆] в семействах иодатов и новая тригональная разновидность Cs₂HIn(IO₃)₆

Стр. 597-611

Автор(ы): Реутова О. В.

Реутова О. В.

597-611

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ

Галогенные связи в производных 2,5-дииод-1,4-диметилбензола

Стр. 612-619

Автор(ы): Осипов А. А. / Раджакумар К.

Осипов А. А. / Раджакумар К.

612-619

ПОВЕРХНОСТЬ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ

Уточнение параметров элементарной ячейки на современных монокристальных дифрактометрах. Изучение анизотропии теплового расширения монокристалла α-³³S

Стр. 620-629

Автор(ы): Серебренникова П. С.

Серебренникова П. С.

620-629

НАНОМАТЕРИАЛЫ, КЕРАМИКА

Индуцирование вязких мод разрушения льда и радикальное повышение энергоемкости его деструкции путем введения наноразмерных добавок

Стр. 630-638

Автор(ы): Тюрин А. И. / Головин Ю. И.

Тюрин А. И. / Головин Ю. И.

630-638

РОСТ КРИСТАЛЛОВ

Исследование температурных свойств I.H.P.-структуры и ее применение для фильтров на поверхностных акустических волнах

Стр. 639-645

Автор(ы): Койгеров А. С. / Балышева О. Л.

Койгеров А. С. / Балышева О. Л.

639-645

ПРИБОРЫ, АППАРАТУРА

Морфология и пространственное распределение упорядоченных доменов в GaInP/GaAs(001) по данным просвечивающей электронной микроскопии

Стр. 646-651

Автор(ы): Мясоедов А. В.

Мясоедов А. В.

646-651

Тонкопленочные полидиацетилены стабильной голубой фазы на основе симметричных и несимметричных диацетиленовых N-арилкарбаматов

Стр. 652-660

Автор(ы): Алексеев А. С.

Алексеев А. С.

652-660

Исследование электрических свойств и характеризация металлополимерного проводника на основе серебросодержащих нанопроволок

Стр. 661-669

Автор(ы): Панов Д. В.

Панов Д. В.

661-669

Электронные состояния зоны проводимости ультратонких пленок фуран-фениленового соолигомера на поверхности окисленного кремния и послойно выращенного оксида цинка

Стр. 670-675

Автор(ы): Комолов А. С.

Комолов А. С.

670-675

Синтез наноразмерного твердого электролита Pr_1–ySr_yF_3–y и исследование влияния термообработки на ионную проводимость фторидной нанокерамики

Стр. 676-684

Автор(ы): Сорокин Н. И. / Каримов Д. Н.

Сорокин Н. И. / Каримов Д. Н.

676-684

Микрофлюидный синтез гибридных микрочастиц карбоната кальция, модифицированных наночастицами серебра

Стр. 685-693

Автор(ы): Ермаков А. В.

Ермаков А. В.

685-693

Влияние температуры на стабильность кластера-прекурсора кристалла термолизина

Стр. 694-699

Автор(ы): Кордонская Ю. В.

Кордонская Ю. В.

694-699

Исследование особенностей концентрационных неоднородностей при наземной отработке космического эксперимента по росту кристаллов Gе(Ga)

Стр. 700-704

Автор(ы): Коробейникова Е. Н.

Коробейникова Е. Н.

700-704

Переходы между равновесными и неравновесными явлениями в описании роста кристалла

Стр. 705-719

Автор(ы): Ракин В. И.

Ракин В. И.

705-719

К вопросу о механизме роста кристаллов лактозы из пересыщенных растворов

Стр. 720-729

Автор(ы): Фиалкова Е. А.

Фиалкова Е. А.

720-729

Гиперспектральная рентгеновская камера на базе матриц прямого преобразования

Стр. 730-742

Автор(ы): Сафонов А. И.

Сафонов А. И.

730-742

Светоизлучающие AlGaAs/GaAs-диоды на основе InGaAs скомпенсированных квантовых ям с минимизированными внутренними потерями на поглощение излучения 940 нм

Стр. 743-752

Автор(ы): Салий Р. А.

Салий Р. А.

743-752

Перевести

Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности

Поделиться

Войти через