Дефектная структура легированных оловом монокристаллов InAs, выращенных методом Чохральского

Югова Т. Г.

doi:10.31857/S0023476124030041

Русский

Главная>Номер выпуска 3>Дефектная структура легированных оловом монокристаллов InAs, выращенных методом Чохральского

Дефектная структура легированных оловом монокристаллов InAs, выращенных методом Чохральского

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Дефектная структура легированных оловом монокристаллов InAs, выращенных методом Чохральского

Аннотация

Код статьи

S0023476124030041-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Югова Т. Г. Связаться с автором

Аффилиация: АО “Гиредмет”

Выпуск

Том 69 Номер выпуска 3

Страницы

400-404

Аннотация

Обнаружены различные нарушения структурного совершенства монокристаллов арсенида индия InAs, сильно легированных Sn, которые зависят от концентрации Sn в различных участках кристалла. При низких концентрациях носителей заряда (электронов) ~1.5 × 10¹⁸ см^–3 в начальных участках кристалла наблюдается необычное кольцеобразное распределение дислокаций в поперечном сечении. Плотность дислокаций при этом была в диапазоне (0.1–1.0) × 10⁴ см^–2. При концентрации носителей заряда более 4.0 × 10¹⁸ см^–3 в конечных участках кристаллов наблюдаются включения индия, а также “вицинальные холмики”. Плотность дислокаций в конечных сечениях кристаллов, в которых упомянутые выше дефекты не наблюдаются, была в диапазоне (0.4–2.1) × 10⁴ см^–2.

Классификатор

Получено

03.09.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Югова Т. Дефектная структура легированных оловом монокристаллов InAs, выращенных методом Чохральского // Кристаллография. – 2024. – T. 69. – Номер выпуска 3 C. 400-404 . URL: https://crystallographyras.ru/s0023476124030041-1/?version_id=105460. DOI: 10.31857/S0023476124030041
MLA	Yugova, T. G "Defect structure of tin-doped inas single crystals grown by the Czochralski method." Crystallography Reports. 69.3 (2024).:400-404. DOI: 10.31857/S0023476124030041
APA	Yugova T. (2024). Defect structure of tin-doped inas single crystals grown by the Czochralski method. Crystallography Reports. vol. 69, no. 3, pp.400-404 DOI: 10.31857/S0023476124030041

Библиография

1. Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А. // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. С. 147. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47090.8799

2. Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 6. С. 26. https://doi.org/10.1134/S1063782608060018 https://www.shalomeo.com/Wafers-and-Substrates/InAs-Semi-Growth/product-936.html

3. Abrachams M.S., Buiocchi C.J. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 2855. https://doi.org/10.1063/1.1714594

4. Шифрин С.С., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Кристаллография. 1982. Т. 27. Вып. 4. С. 712.

5. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 5. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html

6. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 188. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html

Библиография

Комментарии

Войти через