- Код статьи
- S0023476125040164-1
- DOI
- 10.31857/S0023476125040164
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 70 / Номер выпуска 4
- Страницы
- 670-678
- Аннотация
- Проведен анализ исследований рекомбинационно-ускоренного движения дислокаций в GaN и 4H-SiC. Показано, что в обоих кристаллах при облучении низкоэнергетичным электронным пучком дислокации могут смещаться при температуре жидкого азота. Оценены энергии активации скольжения дислокаций, стимулированного облучением электронным пучком. Приведены результаты, демонстрирующие практически безактивационную миграцию двойных перегибов вдоль 30°-ной дислокации с кремниевым ядром в 4H-SiC. Показано, что на движение дислокаций в GaN как под действием сдвиговых напряжений, так и при облучении существенное влияние оказывают локализованные препятствия. Неравновесные носители заряда, введенные облучением в GaN, не только способствуют преодолению барьера Пайерлса, но и стимулируют открепление дислокаций от препятствий.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 20.03.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 11
Библиография
- 1. Alexander H., Teichler H. // Handbook of Semiconductor Technology / Eds. Jackson K.A., Schroter W. Wiley-VCH, 2000. P. 291. https://doi.org/10.1002/9783527621842.ch6
- 2. Maeda K. // Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices / Еds. Ueda O., Pearton S.J. New York: Springer Science and Business Media, 2013. P. 263. https://doi.org/10.1007/978-1-4614-4337-7_9
- 3. Eberlein T.A.G., Jones R., Blumenau A.T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. 082113. https://doi.org/10.1063/1.2179115
- 4. Skowronski M., Ha S. // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. 011101. https://doi.org/10.1063/1.2159578
- 5. Camassel J., Juillaguet S. // J. Phys. D. 2007. V. 40. P. 6264. https://doi.org/10.1088/0022-3727/40/20/S11
- 6. Callahan P.G., Haidet B.B., Jung D. et al. // Phys. Rev. Mater. 2018. V. 2. 081601(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.2.081601
- 7. Ha S., Benamara M., Skowronski M. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 83. P. 4957. https://doi.org/10.1063/1.1633969
- 8. Yakimov E.B. // J. Alloys Compd. 2015. V. 627. P. 344. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2014.11.229
- 9. Якимов Е.Б. // Кристаллография. 2021. Т. 66. № 4. С. 540. https://doi.org/10.31857/S0023476121040226
- 10. Egerton R.F., Li P., Malac M. // Micron. 2004. V. 35. P. 399. https://doi.org/10.1016/j.micron.2004.02.003
- 11. Tokunaga T., Narushima T., Yonezawa T. et al. // J. Microscopy. 2012. V. 248. Pt. 3. P. 228. https://doi.org/10.1111/j.1365-2818.2012.03666.x
- 12. Bouscaud D., Pesci R., Berveiller S. et al. // Ultramicroscopy. 2012. V. 115. P. 115. https://doi.org/10.1016/j.ultramic.2012.01.018
- 13. Yakimov E.E., Yakimov E.B. // J. Alloys Compd. 2020. V. 837. 155470. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.155470
- 14. Ishikawa Y., Sudo M., Yao Y.-Z. et al // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. 225101. https://doi.org/10.1063/1.5026448
- 15. Yakimov E.B. // Phys. Status Solidi. C. 2017. V. 14. 1600266. https://doi.org/10.1002/pssc.201600266
- 16. Якимов Е.Б. // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 2018. № 10. С. 66. https://doi.org/10.1134/S0207352818100219
- 17. Davidson S.M., Dimitriadis C.A. // J. Microsc. 1980. V. 118. P. 275. https://doi.org/10.1111/j.1365-2818.1980.tb00274.x
- 18. Yakimov E.B., Polyakov A.Y., Shchemerov I.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2021. V. 118. 202106. https://doi.org/10.1063/5.0053301
- 19. Gsponer A., Knopf M., Gagg P. et al. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2024. V. 1064. 169412. https://doi.org/10.1016/j.nima.2024.169412
- 20. Yakimov E.B., Regula G., Pichaud B. // J. Appl. Phys. 2013. V. 114. 084903. https://doi.org/10.1063/1.4818306
- 21. Idrissi H., Pichaud B., Regula G., Lancin M. // J. Appl. Phys. 2007. V. 101. 113533. https://doi.org/10.1063/1.2745266
- 22. Orlov V.I., Regula G., Yakimov E.B. // Acta Mater. 2017. V. 139. P. 155. https://doi.org/10.1016/j.actamat.2017.07.046
- 23. Yakimov E.E., Yakimov E.B. // Phys. Status Solidi. A. 2022. V. 219. 2200119. https://doi.org/10.1002/pssa.202200119
- 24. Orlov V.I., Yakimov E.E., Yakimov E.B. // Phys. Status Solidi. A. 2019. V. 216. 1900151. https://doi.org/10.1002/pssa.201900151
- 25. Sudo M., Ishikawa Y., Yao Y.-Z. et al. // Mater. Sci. Forum. 2018. V. 924. P. 151. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.151
- 26. Yakimov E.E., Yakimov E.B. // J. Phys. D. 2022. V. 55. 245101. https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac5c1b
- 27. Yamashita Y., Nakata R., Nishikawa T. et al. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. 161580. https://doi.org/10.1063/1.5010861
- 28. Konishi K., Fujita R., Shima A. et al. // Mater. Sci. Forum. 2017. V. 897. P. 214. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.897.214
- 29. Tawara T., Matsunaga S., Fujimoto T. et al. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. 025707. https://doi.org/10.1063/1.5009365
- 30. Yakimov E.E., Yakimov E.B., Orlov V.I., Gogova D. // Superlattices and Microstructures. 2018. V. 120. P. 7. https://doi.org/10.1016/j.spmi.2018.05.014
- 31. Ohno Y., Yonenaga I., Miyao K. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 101. 042102. https://doi.org/10.1063/1.4737938
- 32. Regula G., Lancin M., Pichaud B. et al. // Philos. Mag. 2013. V. 93. P. 1317. https://doi.org/10.1080/14786435.2012.745018
- 33. Savini G. // Phys. Status Solidi. C. 2007. V. 4. P. 2883. https://doi.org/10.1002/pssc.200675433
- 34. Yang J., Izumi S., Muranaka R. et al. // Mech. Eng. J. 2015. V. 2. № 4. P. 1. https://doi.org/10.1299/mej.15-00183
- 35. Miao M.S., Limpijumnong S., Lambrecht W.R.L. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 79. P. 4360. https://doi.org/10.1063/1.1427749
- 36. Galeckas A., Linnoris J., Pirouz P. // Phys. Rev. Lett. 2006. V. 96. 025502. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.96.025502
- 37. Caldwell J.D., Stahlbush R.E., Ancona M.G. et al. // J. Appl. Phys. 2010. V. 108. 044503 https://doi.org/10.1063/1.3467793
- 38. Pirouz P. // Phys. Status Solidi. A. 2013. V. 210. P. 181. https://doi.org/10.10.1002/pssa.201200501
- 39. Mannen Y., Shimada K., Asada K. et al. // J. Appl. Phys. 2019. V. 125. 085705. https://doi.org/10.1063/1.5074150
- 40. Iijima A., Kimoto T. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 116. 092105. https://doi.org/10.1063/1.5143690
- 41. Miyanagi T., Kamata I., Tsuchida H. et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 89. 062104. https://doi.org/10.1063/1.2234740
- 42. Caldwell J.D., Stahlbush R.E., Hobart K.D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. 143519. https://doi.org/10.1063/1.2719650
- 43. Caldwell J.D., Glembocki O.J., Stahlbush R.E. et al. // J. Electron. Mater. 2008. V. 37. P. 699. https://doi.org/10.1007/s11664-007-0311-5
- 44. Okada A., Nishio J., Iijima R. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2018. V. 57. 061301. https://doi.org//10.7567/JJAP.57.061301
- 45. Feklisova O.V., Yakimov E.E., Yakimov E.B. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 116. 172101. https://doi.org/10.1063/5.0004423
- 46. Maeda K., Murata K., Kamata I. et al. // Appl. Phys. Express. 2021. V. 14. 044001. https://doi.org/10.35848/1882-0786/abeaf8
- 47. Iijima A., Kimoto T. // J. Appl. Phys. 2019. V. 126. 105703. https://doi.org/10.1063/1.5117350
- 48. Bradby J.E., Kucheyev S.O., Williams J.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 80. P. 383. https://doi.org/10.1063/1.1436280
- 49. Jahn U., Trampert A., Wagner T. et al. // Phys. Status Solidi. A. 2002. V. 192. P. 79. https://doi.org/10.1002/1521-396X (200207)192:13.0.CO;2-5
- 50. Jian S.R. // Appl. Surf. Sci. 2008. V. 254. P. 6749. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.04.078
- 51. Huang J., Xu K., Gong X.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. 221906. https://doi.org/10.1063/1.3593381
- 52. Orlov V.I., Vergeles P.S., Yakimov E.B. et al. // Phys. Status Solidi. A. 2019. V. 216. 1900163. https://doi.org/10.1002/pssa.201900163
- 53. Orlov V.I., Polyakov A.Y., Vergeles P.S. et al. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2021. V. 10. 026004. https://doi.org/10.1149/2162-8777/abe4e9
- 54. Yakimov E.B., Kulanchikov Y.O., Vergeles P.S. // Micromachines. 2023. V. 14. 1190. https://doi.org/10.3390/mi14061190
- 55. Maeda K., Suzuki K., Ichihara M. et al. // Phys. B. Condens. Matter. 1999. V. 273. P. 134. http://dx.doi.org/10.1016/S0921-4526 (99)00424-X
- 56. Tomiya S., Goto S., Takeya M. et al. // Phys. Status Solidi. A. 2003. V. 200. P. 139. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200303322
- 57. Yakimov E.B., Vergeles P.S., Polyakov A.Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2015. V. 106. 132101. http://dx.doi.org/10.1063/1.4916632
- 58. Якимов Е.Б., Вергелес П.С. // Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. 2016. № 9. С. 81. http://dx.doi.org/10.7868/S0207352816090171
- 59. Yakimov E.B., Vergeles P.S., Polyakov A.Y. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2016. V. 55. 05FM03. http://doi.org/10.7567/JJAP.55.05FM03
- 60. Medvedev O.S., Vyvenko O.F., Bondarenko A.S. et al. // AIP Conf. Proc. 2016. V. 1748. 020011. http://dx.doi.org/10.1063/1.4954345
- 61. Vergeles P.S., Orlov V.I., Polyakov A.Y. et al. // J. Alloys Compd. 2019. V. 776. P. 181. http://doi.org/10.1063/1.4954345
- 62. Vergeles P.S., Kulanchikov Yu.O., Polyakov A.Y. et al. // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2022. V. 11. 015003. http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/ac4bae