Везде

ОФНКристаллография Crystallography Reports

  • ISSN (Print) 0023-4761
  • ISSN (Online) 3034-5510

Поверхностные свойства и зародышеобразование кристаллов линейных аценов в условиях роста из пара и раствора

Вы можете
Код статьи
S30345510S0023476125050077-1
DOI
10.7868/S3034551025050077
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Постников В.А.
  • Аффилиация: Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Юрасик Г.А.
  • Аффилиация: Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Кулишов А.А.
  • Аффилиация: Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Сорокина Н.И.
  • Аффилиация: Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Сорокин Т.А.
  • Аффилиация: Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Степко А.С.
  • Аффилиация: Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Лебедев-Степанов П.В.
  • Аффилиация: Отделение “Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова” Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Том/ Выпуск
Том 70 / Номер выпуска 5
Страницы
767-782
Аннотация
Представлены результаты моделирования поверхностной энергии граней (100), (010), (001), (110) и (110) кристаллов линейных аценов (нафталин, антрацен, тетрацен, пентацен) в приближении метода силового поля OPLS и теории функционала плотности уровня B3LYP/6-31G(d,p). Моделирование выполнено на основе уточненных методом рентгеновской дифракции структуры монокристаллов линейных аценов. Для кристаллов антрацена, тетрацена и пентацена получена экспериментальная оценка поверхностной энергии грани (001) методом краевого угла смачивания. В рамках классического термодинамического подхода с учетом анизотропии поверхностной энергии получены и проанализированы выражения для критических размеров зародышей кристаллов при гомогенном и гетерогенном процессах в условиях роста из пара и раствора.
Ключевые слова
Дата публикации
30.04.2025
Год выхода
2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
17

Библиография

  1. 1. Постников В.А., Лясникова М.С., Кулишов А.А. и др. // ФТТ. 2019. Т. 61. С. 2322. https://doi.org/10.21883/ftt.2019.12.48544.42ks
  2. 2. Юрасик Г.А., Кулишов А.А., Лебедев-Степанов П.В и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2021. № 2. С. 78. https://doi.org/10.31857/s1028096021020163
  3. 3. Schweicher G., Olivier Y., Lemaur V. et al. // Isr. J. Chem. 2014. V. 54. P. 595. https://doi.org/10.1002/ijch.201400047
  4. 4. Bruevich V.V., Glushkova A.V., Poimanova O.Y. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2019. V. 11. P. 6315. https://doi.org/10.1021/acsami.8b20700
  5. 5. Postnikov V.A., Odarchenko Y.I., Iovlev A.V. et al. // Cryst. Growth Des. 2014. V. 14. № 4. P. 1726. https://doi.org/10.1021/cg401876a
  6. 6. Kitaigorodsky A.I., Ahmed N.A. // Acta Cryst. A. 1972. V. 28. P. 207. https://doi.org/10.1107/S0567739472000439
  7. 7. Nabok D., Puschnig P., Ambrosch-Draxl C. // Phys. Rev. B. 2008. V. 77. P. 245316. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.77.245316
  8. 8. Massaro F.R., Moret M., Bruno M. et al. // Cryst. Growth Des. 2012. V. 12. P. 982. https://doi.org/10.1021/cg201458g
  9. 9. Massaro F.R., Moret M., Bruno M. et al. // Cryst. Growth Des. 2011. V. 11. P. 4639. https://doi.org/10.1021/cg200924m
  10. 10. Northrup J.E., Tiago M.L., Louie S.G. // Phys. Rev. B. 2002. V. 66. P. 121404(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.66.121404
  11. 11. Drummy L.F., Miska P.K., Alberts D. et al. // J. Phys. Chem. B. 2006. V. 110. P. 6066. https://doi.org/10.1021/jp054951g
  12. 12. Ребиндер П.А., Щукин Е.Д. // УФН. 1972. Т. 108. С. 3. https://doi.org/10.3367/ufnr.0108.197209a.0003
  13. 13. Джейкок М., Парфит Д. Химия поверхностей раздела фаз. М.: Мир, 1984. 269 с.
  14. 14. Постников В.А., Кулишов А.А., Лясникова М.С. и др. // Кристаллография. 2021. Т. 66. С. 494. https://doi.org/10.31857/s0023476121030206
  15. 15. Kulishov A.A., Yurasik G.A., Grebenev V.V. et al. // Crystallography Reports. 2022. V. 67. P. 1001. https://doi.org/10.1134/S1063774522060153
  16. 16. Postnikov V.A., Kulishov A.A., Yurasik G.A. et al. // Crystals. 2023. V. 13. P. 999. https://doi.org/10.3390/cryst13070999
  17. 17. Rigaku Oxford Diffraction: 1.171.39.46. Rigaku Corporation, Oxford, UK. 2018.
  18. 18. Petrícek V., Dušek M., Palatinus L. // Z. Krist. 2014. V. 229. P. 345. https://doi.org/10.1515/zkri-2014-1737
  19. 19. Palatinus L. // Acta Cryst. A. 2004. V. 60. P. 604. https://doi.org/10.1107/S0108767304022433
  20. 20. Кулишов А.А., Юрасик Г.А., Лясникова М.С. и др. // Кристаллография. 2024. Т. 69. С. 330. https://doi.org/10.31857/S0023476124020171
  21. 21. Юрасик Г.А., Кулишов А.А., Гиваргизов М.Е. и др. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47. С. 40. https://doi.org/10.21883/pjtf.2021.23.51783.18983
  22. 22. Tadmor R. // Langmuir. 2004. V. 186. P. 7659. https://doi.org/10.1021/la049410h
  23. 23. Spackman P.R., Turner M.J., McKinnon J.J. et al. // J. Appl. Cryst. 2021. V. 54. P. 1006. https://doi.org/10.1107/S1600576721002910
  24. 24. Jorgensen W.L., Maxwell D.S., Tirado-Rives J. // J. Am. Chem. Soc. 1996. V. 118. P. 10947. https://doi.org/10.1021/ja9621760
  25. 25. Постников В.А., Кулишов А.А., Лясникова М.С и др. // Журн. физ. химии. 2021. Т. 95. С. 1101. https://doi.org/10.31857/s0044453721070220
  26. 26. Piranej S., Turner D.A., Dalke S.M. et al. // CrystEngComm. 2016. V. 18. P. 6062. https://doi.org/10.1039/c6ce00728g
  27. 27. Oddershede J., Larsen S. // J. Phys. Chem. A. 2004. V. 108. P. 1057. https://doi.org/10.1021/jp036186g
  28. 28. Asher M., Angerer D., Korobko R. et al. // Adv. Mater. 2020. V. 32. P. 1908028. https://doi.org/10.1002/adma.201908028
  29. 29. Holmes D., Kumaraswamy S., Matzger A.J. et al. // Chem. – A Eur. J. 1999. V. 5. P. 3399. https://doi.org/10.1002/ (SICI)1521-3765(19991105)5:113.0.CO;2-V
  30. 30. Постников В.А., Кулишов А.А., Юрасик Г.А. и др. // Кристаллография. 2022. Т. 67. С. 652.https://doi.org/10.31857/S0023476122040130
  31. 31. Torres-Gómez L.A., Barreiro-Rodríguez G., Galarza-Mondragón A. // Thermochim. Acta. 1988. V. 124. P. 229.https://doi.org/10.1016/0040-6031 (88)87025-4
  32. 32. Rojas A., Orozco E. // Thermochim. Acta. 2003. V. 405. P. 93.https://doi.org/10.1016/S0040-6031 (03)00139-4
  33. 33. Ribeiro da Silva M.A.V., Monte M.J.S., Santos L.M.N.B.F. // J. Chem. Thermodyn. 2006. V. 38. P. 778.https://doi.org/10.1016/j.jct.2005.08.013
  34. 34. Roux M.V., Temprado M., Chickos J.S. et al. // J. Phys. Chem. Ref. Data. 2008. V. 37. P. 1855.https://doi.org/10.1063/1.2955570
  35. 35. Oja V., Suuberg E.M. // J. Chem. Eng. Data. 1998. V. 43. P. 486.https://doi.org/10.1021/je970222l
  36. 36. De Kruif C.G. // J. Chem. Thermodyn. 1980. V. 12. P. 243.https://doi.org/10.1016/0021-9614 (80)90042-7
  37. 37. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. и др. Современная кристаллография. Т. 3. Образование кристаллов. М.: Наука, 1980. 408 с.
  38. 38. Kaminsky W. // J. Appl. Cryst. 2007. V. 40. P. 382.https://doi.org/10.1107/S0021889807003986
  39. 39. Щукин Е.Д., Перцов А.В., Амелина Е.А. Коллоидная химия. М.: Высшая школа, 2004. 445 с.
  40. 40. Musumeci C., Cascio C., Scandurra A. et al. // Surf. Sci. 2008. V. 602. P. 993.https://doi.org/10.1016/j.susc.2007.12.029
QR
Перевести

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Высшая аттестационная комиссия

При Министерстве образования и науки Российской Федерации

Scopus

Научная электронная библиотека