- Код статьи
- S30345510S0023476125050113-1
- DOI
- 10.7868/S3034551025050113
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 70 / Номер выпуска 5
- Страницы
- 810-816
- Аннотация
- С помощью импульсного электронографа исследован фазовый переход в пленке GeSbTe (GST) толщиной ~10 нм при её нагреве от комнатной температуры до ~400°С. В процессе кристаллизации свободновисящего аморфного образца обнаружено формирование гексагональной фазы GST, в которой перемешивание Sb и Ge приводит к формальному нарушению трансляционной симметрии и симметрии элементарной ячейки. Однако при нагреве идентичной аморфной пленки GST на углеродной мембране кристаллическое состояние представлено лишь кубической фазой. В рамках теории Филлипса предложено качественное объяснение такого наноразмерного эффекта в GST, которое открывает новые возможности управления структурным упорядочением в материалах фазовой памяти.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 20.01.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 27
Библиография
- 1. Талочкин А.Б., Кох К.А., Терещенко О.Е. // Письма в ЖЭТФ. 2021. Т. 113. Вып. 10. С. 683. https://doi.org/10.31857/S1234567821100086
- 2. Козунин С.А., Лазаренко П.И., Попов А.И., Еременко И.Л. // Успехи химии. 2022. Т. 91. Вып. 9. RCR5033. https://doi.org/10.1070/RCR5033
- 3. Prabhathan P., Sreekanth K.V., Teng J. et al. // iScience. 2023. V. 26. № 12. P. 107946. https://doi.org/10.1016/j.isci.2023.107946
- 4. Wuttig M., Bhaskaran H., Taubner T. // Nature Photon. 2017. V. 11. P. 465. https://doi.org/10.1038/nphoton.2017.126
- 5. Kooi B.J., Wuttig M. // Adv. Mater. 2020. V. 32. № 21. Р. 1908302. https://doi.org/10.1002/adma.201908302
- 6. Lee Y.K., Yoo C., Kim W. et al. // J. Mater. Chem. C. 2021. V. 9. P. 3708. https://doi.org/10.1039/D1TC00186H
- 7. Neumann C.M., Okabe K.L., Yalon E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 114. Р. 082103. https://doi.org/10.1063/1.5080959
- 8. Wang X.P., Li X.B., Chen N.K. et al. // Adv. Sci. 2021. V. 8. Р. 2004185. https://doi.org/10.1002/advs.202004185
- 9. Simpson R.E., Fons P., Kolobov A.V. et al. // Nat. Nanotechnol. 2011. V. 6. P. 501. https://doi.org/10.1038/nnano.2011.96
- 10. Urban P., Schneider M.N., Erra L. et al. // Cryst. Eng. Comm. 2013. V. 15. P. 4823. https://doi.org/10.1039/C3CE26956F
- 11. Lotnyk A., Dankwort T., Behrens M. et al. // Acta Mater. 2024. V. 266. P. 119670. https://doi.org/10.1016/j.actamat.2024.119670
- 12. Zheng Y., Cheng Y., Huang R. et al. // Sci. Rep. 2017. V. 7. P. 5915. https://doi.org/10.1038/s41598-017-06426-2
- 13. Wang Y., Chen X., Cheng Y. et al. // IEEE Electron Device Lett. 2014. V. 35. № 5. P. 536. https://doi.org/10.1109/LED.2014.2308909
- 14. Njoroge W.K., Wöltgens H.-W., Wuttig M. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. V. 20. P. 230. https://doi.org/10.1116/1.1430249
- 15. Do K., Lee D., Ko D.-H. et al. // Electrochem. Solid-State Lett. 2010. V. 13. P. H284. https://doi.org/10.1149/1.3439647
- 16. Миронов Б.Н., Компанец В.О., Асеев С.А. и др. // ЖЭТФ. 2017. Т. 151. С. 494. https://doi.org/10.7868/S0044451017030051
- 17. Aseyev S.A., Ryabov E.A., Mironov B.N. et al. // Chem. Phys. Lett. 2022. V. 797. P. 139599. https://doi.org/10.1016/j.cplett.2022.139599
- 18. Filippetto D., Musumeci P., Li R.K. et al. // Rev. Mod. Phys. 2022. V. 94. P. 045004. https://doi.org/10.1103/RevModPhys.94.045004
- 19. Alwi H.A., Kim Y.Y., Awang R. et al. // Int. J. Heat Mass Transfer. 2013. V. 63. P. 199. https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2013.03.062
- 20. Lankhorst M.H.R., Ketelaars B.W.S. M.M., Walters R.A.M. // Nat. Mater. 2005. V. 4. P. 347. https://doi.org/10.1038/nmat1350
- 21. Hegedüs J., Elliott S.R. // Nat. Mater. 2008. V. 7. P. 399. https://doi.org/10.1038/nmat2157
- 22. Siegrist T., Jost P., Volker H. et al. // Nat. Mater. 2011. V. 10. P. 202. https://doi.org/10.1038/nmat2934
- 23. Momand J., Wang R., Boschker J.E. et al. // Nanoscale. 2015. V. 7. P. 19136. https://doi.org/10.1039/C5NR04530D
- 24. Santala M.K., Reed B.W., Topuria T. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V. 111. Р. 024309. https://doi.org/10.1063/1.3678447
- 25. Liu C., Tang Q., Zheng Y. et al. // APL Mater. 2022. V. 10. № 2. Р. 021102. https://doi.org/10.1063/5.0079370
- 26. Phillips J.C. // J. Non-Cryst. Solids. 1979. V. 34. P. 153. https://doi.org/10.1016/0022-3093 (79)90033-4
- 27. Popov A.I. // Semiconductors and Semimetals. V. 78. / Ed. Fairman R., Ushkov B. Amsterdam, 2004. P. 51.
- 28. Guo P., Sarangan A.M., Agha I. // Appl. Sci. 2019. V. 9. № 3. P. 530. https://doi.org/10.3390/app9030530
- 29. Zhang W., Wuttig M., Mazzarello R. // Sci. Rep. 2015. V. 5. Р. 13496. https://doi.org/10.1038/srep13496
