Статьи автора

Влияние бегущего магнитного поля на параметры легированных Те монокристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского

Номер выпуска 3 от 01.03.2024

Проведено исследование влияния бегущего магнитного поля на параметры монокристаллов GaAs, легированных Te, в диапазоне концентрации носителей заряда 5 × 10¹⁷–2 × 10¹⁸ см^–3. Бегущее магнитное поле в расплаве создавалось графитовым индуктором, находящимся в камере установки вокруг основного нагревателя. Показано, что магнитное поле при высоких частотах незначительно уменьшает плотность дислокаций в кристаллах, не меняя характер распределения дислокаций по их поперечному сечению. Магнитное поле влияет на распределение примеси по оси кристалла, почти вдвое увеличивая расстояние между “полосами роста” от 9 мкм без магнитного поля до 17 мкм при частоте поля 300 Гц.

116 0