Поликристаллические пленки органо-неорганических перовскитных полупроводников перспективны в качестве основы для создания функциональных оптических метаповерхностей. Требования к их структурному совершенству, однородности толщины и отсутствию дефектов намного более строги, чем к перовскитным пленкам для фотовольтаики. Изложены результаты поиска оптимальных условий одностадийного синтеза пленок бромида метиламмония-свинца методом центрифугирования, описано успешное изготовление на их основе субволновых оптических решеток путем обработки сфокусированным ионным пучком. Измеренные спектры пропускания света решетками продемонстрировали их отличное оптическое качество и подтвердили возможность создания полупроводниковых фотонных метаповерхностей с субмикрометровой периодичностью и высокодобротными диэлектрическими резонансами.
Наноструктуры галлия получены на кремниевых подложках методом термического испарения в атмосфере аргона. С помощью компьютерной обработки электронных микрофотографий определены размеры, плотность и форма частиц Ga. Конденсация Ga на кремниевых подложках в течение 10, 15 и 20 с обеспечила формирование частиц нескольких типов: сферической, треугольной, квадратной форм, а также в виде стержней и многогранников. Увеличение времени конденсации Ga до 20 с способствовало увеличению плотности сферических наночастиц на 41%.
Наночастицы LiRF4 (R = Y, Yb, Lu), активированные ионами Yb3+/Er3+ и Yb3+/Tm3+, получены методом высокотемпературного соосаждения, исследовано влияние мольного соотношения прекурсоров и катионного состава матриц на их размерность и морфологию. Оптимизирован метод гетерогенной кристаллизации данных соединений с использованием нанозатравок LiYF4, что открывает возможности управляемого синтеза наноразмерных частиц LiRF4 с контролируемыми характеристиками. Среди изученных объектов наночастицы LiYF4@LiYbF4:Tm3+@LiYF4 демонстрируют наиболее интенсивную антистоксовую фотолюминесценцию в УФ- (λ = 362 нм) и синем (λ = 450 нм) диапазонах, что превышает аналогичные показатели для частиц β-NaYF4:Yb3+/Tm3+@NaYF4. Наночастицы LiYF4@LiLuF4:Yb3+/Er3+@LiYF4 являются наиболее эффективными преобразователями ИК-излучения в области λ = 1530 нм среди исследованных изоструктурных матриц и проявляют близкие показатели спектрально-люминесцентных свойств с соединением β-NaYF4:Yb3+/Er3+@NaYF4 с эквивалентной степенью солегирования. Полученные результаты позволяют рассматривать наночастицы LiYF4@LiYbF4:Tm3+@LiYF4 и LiYF4@LiLuF4:Yb3+/Er3+@LiYF4 в качестве реальной альтернативы наиболее широко применяемым люминофорам на основе гексагональной матрицы β-NaYF4 для задач фотоники и биотехнологий.
Методами просвечивающей электронной микроскопии, энергодисперсионного рентгеновского микроанализа и электронной дифракции исследованы разрушенные в процессе усталостных испытаний образцы, изготовленные из сплава ЭП741НП. Подробно исследован композиционный и фазовый состав дефектов, обнаруженных на границах усталостных трещин. Показано, что такие дефекты имеют морфологию преимущественно вытянутых плоских “ковров”, содержащих NiO, СTixNb1–x, аморфный AlOх, HfO2, α-Al2O3, β-Al2O3, Al2MgO4, Co7Mo6, Co3O4, S4Ti3, NbO2, TiO2, а также аморфные области, содержащие C, O, Ca, S, Na и Cl. Сделаны предположения об источнике и моменте формирования исследованных дефектов.
Низкоразмерные структуры висмута получены на подложках Si(110) методом термического испарения в атмосфере аргона при времени осаждения 10–20 с. Размеры и плотность распределения нано- и микрокристаллов Bi определены с помощью компьютерной обработки электронных микрофотографий. Плотность нанокристаллов в 85–260 раз превышала плотность микрокристаллов. Увеличение времени осаждения Bi до 20 с способствовало снижению плотности нанокристаллов более чем в 2 раза при увеличении их размеров. С помощью рентгеноструктурного анализа выявлены оксидные слои на поверхности наноструктур Bi и подложках Si. Установлены уменьшение размеров нанокристаллов Bi и увеличение их плотности на подложках Si в сравнении с таковыми на подложках стеклоуглерода.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation