Статьи автора

Частично-разупорядоченное кристаллическое состояние в тонкой пленке GeSbTe: проявление термоиндуцированного нанорзмерного эффекта

Номер выпуска 5 от 20.01.2025

С помощью импульсного электронографа исследован фазовый переход в пленке GeSbTe (GST) толщиной ~10 нм при её нагреве от комнатной температуры до ~400°С. В процессе кристаллизации свободновисящего аморфного образца обнаружено формирование гексагональной фазы GST, в которой перемешивание Sb и Ge приводит к формальному нарушению трансляционной симметрии и симметрии элементарной ячейки. Однако при нагреве идентичной аморфной пленки GST на углеродной мембране кристаллическое состояние представлено лишь кубической фазой. В рамках теории Филлипса предложено качественное объяснение такого наноразмерного эффекта в GST, которое открывает новые возможности управления структурным упорядочением в материалах фазовой памяти.

25 0