С помощью импульсного электронографа исследован фазовый переход в пленке GeSbTe (GST) толщиной ~10 нм при её нагреве от комнатной температуры до ~400°С. В процессе кристаллизации свободновисящего аморфного образца обнаружено формирование гексагональной фазы GST, в которой перемешивание Sb и Ge приводит к формальному нарушению трансляционной симметрии и симметрии элементарной ячейки. Однако при нагреве идентичной аморфной пленки GST на углеродной мембране кристаллическое состояние представлено лишь кубической фазой. В рамках теории Филлипса предложено качественное объяснение такого наноразмерного эффекта в GST, которое открывает новые возможности управления структурным упорядочением в материалах фазовой памяти.
Предложенная авторами унифицированная модель кластерного строения флюоритовых наноструктурированных кристаллов в системе температура–состава (T–x) применена для уточнения эволюции кластерной структуры кристаллов гомологического ряда CaRF (R = La–Lu, Y). Методом рентгеноструктурного анализа при 293 и 85 K изучены дефектные структуры CaNdF, CaTbF и CaYF. Их основа – октаэдро-кубические кластеры с ядрами из кубоктаэдров (F). Ядра образованы межузельными анионами в позиции 32f (кластеры f-типа в CaNdF и CaTbF) и в позиции 48i (кластеры i-типа в CaYF). Получение дифракционных данных с разрешением 0.29 Å позволило выявить в CaYF смещения катионов в позиции 24e и 32f и уточнить заселенности этих позиций. Понижение температуры с 293 до 85 K не изменяет кластерную структуру CaNdF, CaTbF и CaYF. Исследование методом дифракции электронов кристалла CaNdF впервые выявило в кристаллах гомологического ряда CaRF диффузное рассеяние от структурных дефектов с размерами порядка одной элементарной ячейки.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации