By this author

Conduction Band Electronic States of Fluorine-Substituted Furan-Phenylene Co-Oligomer Film on the Surfaces of Silicon and Zinc Oxide

Issue number 5 from 27.06.2025

Представлены результаты исследования низкоэнергетических вторичных электронных спектров пленок фторзамещенного фуран-фениленового соолигомера в энергетическом диапазоне от 5 до 20 эВ выше EF. Проведено термическое вакуумное осаждение пленок толщиной 8–10 нм на поверхностях подложек кремния и послойно осажденного ZnO. Установлены взаиморасположение основных максимумов плотности электронных состояний в зоне проводимости исследованных пленок и характеристики пограничного потенциального барьера между пленками и поверхностями подложек. Проведены исследования топографии поверхности тонких пленок фторзамещенного фуран-фениленового соолигомера методом атомно-силовой микроскопии. Пленки на поверхности ZnO имеют зернистую структуру при диаметре зерна в плоскости поверхности ~100 нм. На поверхности кремния зерна имеют удлиненную форму, характерную для микровискеров.

41 0