Представлены результаты исследования низкоэнергетических вторичных электронных спектров пленок фторзамещенного фуран-фениленового соолигомера в энергетическом диапазоне от 5 до 20 эВ выше EF. Проведено термическое вакуумное осаждение пленок толщиной 8–10 нм на поверхностях подложек кремния и послойно осажденного ZnO. Установлены взаиморасположение основных максимумов плотности электронных состояний в зоне проводимости исследованных пленок и характеристики пограничного потенциального барьера между пленками и поверхностями подложек. Проведены исследования топографии поверхности тонких пленок фторзамещенного фуран-фениленового соолигомера методом атомно-силовой микроскопии. Пленки на поверхности ZnO имеют зернистую структуру при диаметре зерна в плоскости поверхности ~100 нм. На поверхности кремния зерна имеют удлиненную форму, характерную для микровискеров.
Разработан метод получения наночастиц гексагонального нитрида бора (h-BN) размером 2–10 нм со степенью кристалличности до 99%. Метод основан на двухступенчатой термической обработке при температурах 600 и 1000°C с использованием борной кислоты, мочевины, азота и водорода. Методами рентгенофазового анализа, просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, электронной дифракции на выбранной области и анализа карт электронной плотности подтверждены гексагональная структура h-BN с межплоскостным расстоянием 3.3 Å, узкое распределение размеров и равномерное распределение элементов в материале. Предлагаемый подход исключает использование токсичного аммиака, энергоэффективен и подходит для промышленного масштабирования. Полученные наночастицы могут применяться в трибологических покрытиях и смазочных материалах.
Indexing
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation