By this author

COMPARATIVE X-RAY DIFFRACTOMETRY OF THE DEFECT STRUCTURE OF ZnO EPITAXIAL FILMS DEPOSITED BY MAGNETRON SPUTTERING ON C-PLANE Al2O3 SUBSTRATES IN INHOMOGENEOUS ELECTRIC FIELD

Issue number 2 from 14.09.2025

Представлены результаты исследований особенностей роста пленок оксида цинка, полученных на подложках сапфира методом магнетронного осаждения в неоднородном электрическом поле. Анализ пленок проведен с применением методов высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, построения полюсных фигур и электронной микроскопии. Выявлена последовательность изменения латеральной структуры по мере увеличения толщины пленки, также зависящая от локального потенциала. Так, области с более высоким потенциалом поверхности соответствуют эпитаксиальному соотношению ZnO⟨10\(\bar {1}\)0⟩(0001)||Al₂O₃⟨11\(\bar {2}\)0⟩(0001) с наименьшим несоответствием параметров решеток.

9 0