Везде
Структура и электропроводность тонких пленок нитрида алюминия на кремнии
Оглавление
Аннотация Оценить Содержание публикации
Библиография Комментарии
Поделиться
QR
Метрика
Структура и электропроводность тонких пленок нитрида алюминия на кремнии
Аннотация
Код статьи
S0023476124010136-1
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Базлов Н. В.  
Аффилиация: Санкт-Петербургский государственный университет
Выпуск
Том 69 Номер выпуска 1
Страницы
91-98
Аннотация
Пленки нитрида алюминия синтезированы с помощью метода реактивного магнетронного напыления на кремниевых подложках n-Si (100). Слои AlN толщиной от 2 до 150 нм получены с целью установления корреляции между строением пленок и их электропроводностью. С помощью электронной микроскопии установлено, что по мере удаления от поверхности подложки аморфное строение пленки переходило к нанокристаллическому. Пленки с толщинами до 20 нм имели высокую проводимость до 10 (Ом·см)–1, при увеличении толщины проводимость резко падала до 10–7 (Ом·см)–1. Предполагается, что высокая проводимость тонких слоев AlN обусловлена высокой плотностью границ зерен, встроенных в аморфную матрицу.
Классификатор
Получено
18.05.2024
Всего подписок
0
Всего просмотров
4
Оценка читателей
0.0 (0 голосов)
Цитировать   Скачать pdf

Библиография

1. Иванов А.М., Строкан Н.Б., Котина И.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. № 10. С. 41.

2. Иванов А.М., Котина И.М., Ласаков М.С. и др. // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. № 8. С. 1064.

3. Hwan-Chul Lee, Guen-Hong Kimb, Soon-Ku Hong et al. // Thin Solid Films.1995. V. 261. P. 148.

4. Oliveira I.C., Grigorov K.G., Maciel H.S. et al. // Vacuum. 2004. V. 75. P. 331. http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2004.04.001

5. Tilo P. Drusedau, Jurgen Blasing // Thin Solid Films. 2000.V. 377–378. P. 27.

6. Clement M., Iborra E., Sangrador J. et al. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 1495. http://dx.doi.org/10.1063/1.1587267

7. Signore M.A., Bellini E., Taurino A. et al. // J. Phys. Chem. Solids. 2013. V. 74. P. 1444. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2013.05.003

8. Jae Hyoung Choi, Jeong Yong Lee, Jin Hyeok Kim // Thin Solid Films. 2001. V. 384. P. 166.

9. Bing-Hwai Hwang, Chi-Shan Chen, Hong-Yang Lu, Tzu-Chien Hsu // Mater. Sci. Eng. A. 2002. V. 325. P. 380.

10. Wen-Jen Liu, Shih-Jeh Wu, Chih-Min Chen et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 276. P. 525. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.421

11. Zhang J.X., Chen Y.Z., Cheng H. et al. // Thin Solid Films. 2005. V. 471. P. 336. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2004.06.161

12. Auner G.W., Jin F., Naik V.M., Naik R. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. P. 7879. https://doi.org/10.1063/1.370600

13. Ishihara M., Li S.J., Yumoto H. et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 316. P. 152.

14. Adam T., Kolodzey J., Swann C.P. et al. // Appl. Surf. Sci. 2001. V. 175–176. P. 428.

15. Iriarte G.F., Engelmark F., Katardjiev I.V. // J. Mater. Res. 2002. V. 17. № 6. P. 1469.

16. Brien V., Pigeat P. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 299. P. 189. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.238

17. Yarar E., Hrkac V., Zamponi C. et al. // AIP Adv. 2016. V. 6. P. 075115. https://doi.org/10.1063/1.4959895

18. Xiao-Hong Xu, Hai-Shun Wu, Cong-Jie Zhang, Zhi-HaoJin // Thin Solid Films. 2001. V. 388. P. 62.

19. Liu H.Y., Tang G.S., Zeng F., Pan F. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 363. P. 80. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.10.008

20. Wen-Jen Liu, Shih-Jeh Wu, Chih-Min Chen et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 276. P. 525. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.421

21. Signore M.A., Taurino A., Valerini D. et al. // J. Alloys Compd. 2015. V. 649. P. 1267. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.05.289

22. Fathimulla A., Lakhani A.A. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 4586. http://dx.doi.org/10.1063/1.332661

23. Elmazria O., Assouar M.B., Renard P., Alnot P. // Phys. Status. Solidi. A. 2003. V. 196. № 2. P. 416. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200306446

24. Schmidt R., Mayrhofer P., Schmid U., Bittner A. // J. Appl. Phys. 2019. V. 125. P. 084501. https://doi.org/10.1063/1.5050181

25. Powder Diffraction File, JCPDS International Centre for Diffraction Data. PA. 1998. https://www.icdd.com/pdfsearch/

26. Corbin N.D. // J. Eur. Cer. Soc. 1989. V. 5. P. 143.

27. Brien V., Pigeat P. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 3890. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.06.021

28. Von Richthofen A., Domnick R. // Thin Solid Films. 1996. V. 283. P. 37.

29. Vergara L., Clement M., Iborra E. et al. // Diam. Relat. Mater. 2004. V. 13. P. 839. http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2003.10.063

30. Slack G.A. // J. Phys. Chem. Solids. 1973. V. 34. P. 321.

31. Slack G.A., Tanzilli R.A., Pohl R.O., Vandersande J.W. // J. Phys. Chem. Solids. V. 48. № 7. P. 641.

32. Slack G.A., Schowalter L.J., Morelli D., Freitas Jr. J.A. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 246. P. 287.

33. Harris J.H., Youngman R.A., Teller R.G. // J. Mater. Res. 1990. V. 5. № 8. P. 1763. https://doi.org/10.1557/JMR.1990.1763

34. Westwood A.D., Youngman R.A., McCartney M.R. et al. // J. Mater. Res. 1995. V. 10. № 5. P. 1270. https://doi.org/10.1557/JMR.1995.1270

35. Westwood A.D., Youngman R.A., McCartney M.R. et al. // J. Mater. Res. 1995. V. 10. № 5. P. 1287. https://doi.org/10.1557/JMR.1995.1287

36. Westwood A.D., Youngman R.A., McCartney M.R. et al. // J. Mater. Res. 1995. V. 10. № 10. P. 2573. https://doi.org/10.1557/JMR.1995.2573

37. Matare H.F. // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. P. 2605. https://doi.org/10.1063/1.333793

38. Matare H.F. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. P. 97. https://doi.org/10.1063/1.336846

39. Fiegl B., Kuhnett R., Ben-Chorin M., Koch F. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 371. https://doi.org/10.1063/1.112379

40. Yanev V., Rommel M., Lemberger M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 252910. https://doi.org/10.1063/1.2953068

Комментарии

Сообщения не найдены

Написать отзыв
Перевести