Везде

Структура и электропроводность тонких пленок нитрида алюминия на кремнии

Вы можете
Код статьи
S0023476124010136-1
DOI
10.31857/S0023476124010136
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Базлов Н. В.
  • Аффилиация: Санкт-Петербургский государственный университет
Том/ Выпуск
Том 69 / Номер выпуска 1
Страницы
91-98
Аннотация
Пленки нитрида алюминия синтезированы с помощью метода реактивного магнетронного напыления на кремниевых подложках n-Si (100). Слои AlN толщиной от 2 до 150 нм получены с целью установления корреляции между строением пленок и их электропроводностью. С помощью электронной микроскопии установлено, что по мере удаления от поверхности подложки аморфное строение пленки переходило к нанокристаллическому. Пленки с толщинами до 20 нм имели высокую проводимость до 10 (Ом·см)–1, при увеличении толщины проводимость резко падала до 10–7 (Ом·см)–1. Предполагается, что высокая проводимость тонких слоев AlN обусловлена высокой плотностью границ зерен, встроенных в аморфную матрицу.
Ключевые слова
Дата публикации
27.07.2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
33

Библиография

  1. 1. Иванов А.М., Строкан Н.Б., Котина И.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. № 10. С. 41.
  2. 2. Иванов А.М., Котина И.М., Ласаков М.С. и др. // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. № 8. С. 1064.
  3. 3. Hwan-Chul Lee, Guen-Hong Kimb, Soon-Ku Hong et al. // Thin Solid Films.1995. V. 261. P. 148.
  4. 4. Oliveira I.C., Grigorov K.G., Maciel H.S. et al. // Vacuum. 2004. V. 75. P. 331. http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2004.04.001
  5. 5. Tilo P. Drusedau, Jurgen Blasing // Thin Solid Films. 2000.V. 377–378. P. 27.
  6. 6. Clement M., Iborra E., Sangrador J. et al. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 1495. http://dx.doi.org/10.1063/1.1587267
  7. 7. Signore M.A., Bellini E., Taurino A. et al. // J. Phys. Chem. Solids. 2013. V. 74. P. 1444. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2013.05.003
  8. 8. Jae Hyoung Choi, Jeong Yong Lee, Jin Hyeok Kim // Thin Solid Films. 2001. V. 384. P. 166.
  9. 9. Bing-Hwai Hwang, Chi-Shan Chen, Hong-Yang Lu, Tzu-Chien Hsu // Mater. Sci. Eng. A. 2002. V. 325. P. 380.
  10. 10. Wen-Jen Liu, Shih-Jeh Wu, Chih-Min Chen et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 276. P. 525. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.421
  11. 11. Zhang J.X., Chen Y.Z., Cheng H. et al. // Thin Solid Films. 2005. V. 471. P. 336. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2004.06.161
  12. 12. Auner G.W., Jin F., Naik V.M., Naik R. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. P. 7879. https://doi.org/10.1063/1.370600
  13. 13. Ishihara M., Li S.J., Yumoto H. et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 316. P. 152.
  14. 14. Adam T., Kolodzey J., Swann C.P. et al. // Appl. Surf. Sci. 2001. V. 175–176. P. 428.
  15. 15. Iriarte G.F., Engelmark F., Katardjiev I.V. // J. Mater. Res. 2002. V. 17. № 6. P. 1469.
  16. 16. Brien V., Pigeat P. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 299. P. 189. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.238
  17. 17. Yarar E., Hrkac V., Zamponi C. et al. // AIP Adv. 2016. V. 6. P. 075115. https://doi.org/10.1063/1.4959895
  18. 18. Xiao-Hong Xu, Hai-Shun Wu, Cong-Jie Zhang, Zhi-HaoJin // Thin Solid Films. 2001. V. 388. P. 62.
  19. 19. Liu H.Y., Tang G.S., Zeng F., Pan F. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 363. P. 80. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.10.008
  20. 20. Wen-Jen Liu, Shih-Jeh Wu, Chih-Min Chen et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 276. P. 525. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.421
  21. 21. Signore M.A., Taurino A., Valerini D. et al. // J. Alloys Compd. 2015. V. 649. P. 1267. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.05.289
  22. 22. Fathimulla A., Lakhani A.A. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 4586. http://dx.doi.org/10.1063/1.332661
  23. 23. Elmazria O., Assouar M.B., Renard P., Alnot P. // Phys. Status. Solidi. A. 2003. V. 196. № 2. P. 416. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200306446
  24. 24. Schmidt R., Mayrhofer P., Schmid U., Bittner A. // J. Appl. Phys. 2019. V. 125. P. 084501. https://doi.org/10.1063/1.5050181
  25. 25. Powder Diffraction File, JCPDS International Centre for Diffraction Data. PA. 1998. https://www.icdd.com/pdfsearch/
  26. 26. Corbin N.D. // J. Eur. Cer. Soc. 1989. V. 5. P. 143.
  27. 27. Brien V., Pigeat P. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 3890. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.06.021
  28. 28. Von Richthofen A., Domnick R. // Thin Solid Films. 1996. V. 283. P. 37.
  29. 29. Vergara L., Clement M., Iborra E. et al. // Diam. Relat. Mater. 2004. V. 13. P. 839. http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2003.10.063
  30. 30. Slack G.A. // J. Phys. Chem. Solids. 1973. V. 34. P. 321.
  31. 31. Slack G.A., Tanzilli R.A., Pohl R.O., Vandersande J.W. // J. Phys. Chem. Solids. V. 48. № 7. P. 641.
  32. 32. Slack G.A., Schowalter L.J., Morelli D., Freitas Jr. J.A. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 246. P. 287.
  33. 33. Harris J.H., Youngman R.A., Teller R.G. // J. Mater. Res. 1990. V. 5. № 8. P. 1763. https://doi.org/10.1557/JMR.1990.1763
  34. 34. Westwood A.D., Youngman R.A., McCartney M.R. et al. // J. Mater. Res. 1995. V. 10. № 5. P. 1270. https://doi.org/10.1557/JMR.1995.1270
  35. 35. Westwood A.D., Youngman R.A., McCartney M.R. et al. // J. Mater. Res. 1995. V. 10. № 5. P. 1287. https://doi.org/10.1557/JMR.1995.1287
  36. 36. Westwood A.D., Youngman R.A., McCartney M.R. et al. // J. Mater. Res. 1995. V. 10. № 10. P. 2573. https://doi.org/10.1557/JMR.1995.2573
  37. 37. Matare H.F. // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. P. 2605. https://doi.org/10.1063/1.333793
  38. 38. Matare H.F. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. P. 97. https://doi.org/10.1063/1.336846
  39. 39. Fiegl B., Kuhnett R., Ben-Chorin M., Koch F. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 371. https://doi.org/10.1063/1.112379
  40. 40. Yanev V., Rommel M., Lemberger M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 252910. https://doi.org/10.1063/1.2953068
QR
Перевести