Везде
Selecting a target for obtaining films of higher manganese silicide using magnetron sputtering
Table of contents
Annotation Estimate Publication content
References Comments
Share
QR
Metrics
Selecting a target for obtaining films of higher manganese silicide using magnetron sputtering
Annotation
PII
S0023476124030144-1
Publication type
Article
Status
Published
Authors
M. S. Lukasov 
Affiliation: Shubnikov Institute of Crystallography of Kurchatov Complex of Crystallography and Photonics of NRC "Kurchatov Institute"
Edition
Volume 69 Issue number 3
Pages
487-493
Abstract
A film of manganese silicides on mica was obtained using a magnetron sputter from three types of targets. Microstructure and elemental composition of targets and films studied by scanning electron microscopy and electron reflection diffraction methods. The phase composition and texture of films by thickness (cross sections) were controlled by scanning and transmission electron microscopy. It has been shown that when depositing films from a poly- and single-crystalline target of higher manganese silicide, in contrast to a target of sintered Mn and Si powders, after successive annealing at a temperature of 800 K and a temperature of 10–3 Pa for 1 hour, polycrystalline films of higher silicide can be obtained. manganese composition Mn4Si7.
Received
04.09.2024
Number of purchasers
0
Views
20
Readers community rating
0.0 (0 votes)
Cite   Download pdf

References

1. Шостаковский П. // Компоненты и технологии. 2009. № 12. С. 120.

2. Шостаковский П. // Компоненты и технологии. 2010. № 12. С. 131.

3. Пустовалов Ю.П., Панкин М.И., Прилепо Ю.П. и др. // Космическая техника и технологии. 2016. № 1 (12). С. 517.

4. Федоров М.И. Физические принципы разработки термоэлектрических материалов на основе соединений кремния. Дис. … д-ра физ.-мат. наук. С.-П.: ФТИ им. Иоффе РАН, 2007.

5. Zaitsev V.K., Rowe D.M. // CRC Handbook of Thermoelectrics. CRC Press. 1995. P. 299.

6. Simkin B.A., Hayashi Y., Inui H. // Intermetallics. 2005. V. 13. P. 1225.

7. Chen X., Weathers A., Moore A. et al. // J. Electron. Mater. 2012. V. 41. № 6. P. 1564.

8. Zhou A.J., Zhao X.B., Zhu T.J. et al. // J. Electron. Mater. 2009. V. 38. № 7. P. 1072.

9. Itoh T., Yamada M. // J. Electron. Mater. 2009. V. 38. № 7. P. 925.

10. Иванова Л.Д. // Неорган. материалы. 2011. Т. 47. № 9. С. 1065.

11. Кульбачинский В.А. Физика наносистем. М.: Физматлит, 2022. 786 с.

12. Bekpulatov I.R., Shomukhammedova D.S., Shukurova D.M., Ibragimova B.V. // E3S Web of Conferences. 2023. V. 365. P. 05015. http://doi.org/10.1051/e3sconf/202336505015

13. Mogilatenko A., Falke M., Teichert S. et al. // Microelectron. 2002. V. 64. P. 211.

14. Клечковская В.В., Камилов Т.С., Адашева С.Т. и др. // Кристаллография. 1994. Т. 39. № 5. С. 894.

15. Суворова Е.И., Клечковская В.В. // Кристаллография. 2013. Т. 58. № 6. С. 855.

16. Орехов А.С., Камилов Т.С., Орехов А.С. и др. // Российские нанотехнологии. 2016. Т. 11. № 5–6. С. 37. http://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44547.06

17. Камилов Т.С., Клечковская В.В., Шарипов Б.З. и др. Электрические и фотоэлектрические свойства гетерофазных структур на основе кремния и силицидов марганца. Ташкент: Мериюс, 2014. 179 с.

18. Берлин Е.В., Сейдман Л.А. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии. М.: Техносфера, 2010. 544 с.

19. Kamilov T.S., Rysbaev A.S., Klechkovskaya V.V. et al. // Applied Solar Energy. V. 55. P. 380. http://doi.org/10.3103/S0003701X19060057

20. Stadelmann P. JEMS electron microscopy simulation software. 2017. https://www.jems-swiss.ch/

Comments

No posts found

Write a review
Translate