Электронные состояния зоны проводимости ультратонких пленок фуран-фениленового соолигомера на поверхности окисленного кремния и послойно выращенного оксида цинка

Комолов А. С.

doi:10.31857/S0023476124040139

Главная>Номер выпуска 4>Электронные состояния зоны проводимости ультратонких пленок фуран-фениленового соолигомера на поверхности окисленного кремния и послойно выращенного оксида цинка

Электронные состояния зоны проводимости ультратонких пленок фуран-фениленового соолигомера на поверхности окисленного кремния и послойно выращенного оксида цинка

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Аннотация

Код статьи

S0023476124040139-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Комолов А. С. Связаться с автором

Аффилиация:
Физико-технический институт АН Республики Узбекистан
Бухарский государственный университет

Выпуск

Том 69 Номер выпуска 4

Страницы

670-675

Аннотация

Приведены результаты исследования электронных состояний зоны проводимости ультратонких пленок фуран-фениленового соолигомера 1,4-бис(5-фенилфуран-2-ил)бензола и пограничного потенциального барьера при формировании этих пленок на поверхности (SiO₂)n-Si и послойно осажденного ZnO. В процессе формирования пленки соолигомера толщиной 8–10 нм применяли методику электронной спектроскопии полного тока, исследовали энергетический диапазон от 5 до 20 эВ выше E_F. Пленки фуран-фениленового соолигомера на поверхности (SiO₂)n-Si обладают доменной структурой с характерным размером домена ~1 × 1 мкм и шероховатостью поверхности в рамках домена не более 1 нм. Пленки на поверхности ZnO имеют зернистую структуру с высотой зерна 40–50 нм.

Классификатор

Получено

22.09.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Комолов А. Электронные состояния зоны проводимости ультратонких пленок фуран-фениленового соолигомера на поверхности окисленного кремния и послойно выращенного оксида цинка // Кристаллография. – 2024. – T. 69. – Номер выпуска 4 C. 670-675 . URL: https://crystallographyras.ru/s0023476124040139-1/?version_id=105510. DOI: 10.31857/S0023476124040139
MLA	Комолов, А. С "Conduction band electronic states of ultrathin furan-phenylene co-oligomer on the surfaces of oxidized silicon and of layer-by-layer grown zinc oxide." Crystallography Reports. 69.4 (2024).:670-675. DOI: 10.31857/S0023476124040139
APA	Комолов �. (2024). Conduction band electronic states of ultrathin furan-phenylene co-oligomer on the surfaces of oxidized silicon and of layer-by-layer grown zinc oxide. Crystallography Reports. vol. 69, no. 4, pp.670-675 DOI: 10.31857/S0023476124040139

Библиография

1. Varghese M.A., Anjali A., Harshini D. et al. // ACS Appl. Electron. Mater. 2021. V. 3. P. 550. https://doi.org/10.1021/acsaelm.0c00931

2. Nenashev G.V., Kryukov R.S., Istomina M.S. et al. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2023 V. 34. P. 2114. https://doi.org/10.1007/s10854-023-11566-5

3. Алешин А.Н., Щербаков И.П., Трапезникова И.Н. и др. // ФТТ. 2016. Т. 58. С. 1818.

4. Sosorev A.Y., Nuraliev M.K., Feldman E.V. et al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2019. V. 21. P. 11578. https://doi.org/10.1039/C9CP00910H

5. Koskin I.P., Becker Ch.S., Sonina A.A. et al. // Adv. Funct. Mater. 2021. V. 31. P. 2104638. https://doi.org/10.1002/adfm.202104638

6. Mannanov A.A., Kazantsev M.S., Kuimov A.D. et al. // J. Mater. Chem. C. 2019. V. 7. P. 60. https://doi.org/10.1039/C8TC04151B

7. Kazantsev M.S., Frantseva E.S., Kudriashova L.G. et al. // RSC Adv. 2016. V. 6. P. 92325. https://doi.org/10.1039/C6RA23160H

8. Hill I.G., Schwartz J., Kahn A. // Org. Electron. 2000 V. 1. P. 5. https://doi.org/10.1016/S1566-1199 (00)00002-1

9. Krzywiecki M., Smykala S., Kurek J. et al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 2022. V. 24. P. 11828. https://doi.org/10.1039/D2CP00844K

10. Komolov A.S., Akhremtchik S.N., Lazneva E.F. // Spectrochim. Acta. A. 2011. V. 798. P. 708. https://doi.org/10.1016/j.saa.2010.08.042

11. Sharopov U.B., Abdusalomov A., Kakhramonov A. et al. // Vacuum. 2023. V. 213. P. 112133. https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2023.112133

12. Лазарев В.В., Блинов Л.М., Юдин С.Г. и др. // Кристаллография. 2015. Т. 60. C. 314. https://doi.org/10.7868/S0023476115020162

13. Frankenstein H., Leng C.Z., Losego M.D. et al. // Org. Electron. 2019. V. 64. P. 37. https://doi.org/10.1016/j.orgel.2018.10.002

14. Walter T.N., Lee S., Zhang X. et al. // Appl. Surf. Sci. 2019. V. 480. P. 43. http://doi.org/10.1016/j.apsusc.2019.02.182

15. Комолов А.С., Лазнева Э.Ф., Соболев В.С. и др. // Кристаллография. 2024. Т. 69. C. 134. https://doi.org/10.31857/S0023476124010197

16. Komolov A.S., Lazneva E.F., Gerasimova N.B. et al. // J. Electron Spectr. Rel. Phenom. 2019. V. 235. P. 40. https://doi.org/10.1016/j.elspec.2019.07.001

17. Pshenichnyuk S.A., Asfandiarov N.L., Markova A.V. et al. // J. Chem. Phys. 2023. V. 159. P. 214305. https://doi.org/10.1063/5.0180053

18. Pshenichnyuk S.A., Modelli A., Lazneva E.F. et al. // J. Phys. Chem. A. 2016. V. 120. P. 2667. https://doi.org/.1021/acs.jpca.6b02272

19. Hwang J., Wan A., Kahn A. // Mater. Sci. Eng. R. 2009. V. 64. P. 1. https://doi.org/10.1016/j.mser.2008.12.001

20. Кукушкин С.А., Осипов А.В., Романычев А.И. // ФТТ. 2016. Т. 58. С. 1398.

21. Komolov A.S., Moeller P.J., Lazneva E.F. // J. Electron Spec. Rel. Phen. 2003. V. 131–132. P. 67. https://doi.org/10.1016/S0368-2048 (03)00104-X

22. Bartos I. // Progr. Surf. Sci. 1998. V. 59. P. 197. https://doi.org/10.1016/S0079-6816 (98)00046-X

23. Komolov A.S., Lazneva E.F., Akhremtchik S.N. // Appl. Surf. Sci. 2010. V. 256. P. 2419. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2009.10.078

24. Komolov A.S., Moeller P.J., Aliaev Y.G. et al. // J. Mol. Struct. 2005. V. 744–747. P. 145. https://doi.org/10.1016/j.molstruc.2005.01.047

25. Shu A.L., McClain W.E., Schwartz J. et al. // Org. Electron. 2014. V. 15. P. 2360. https://doi.org/10.1016/j.orgel.2014.06.039

26. Braun S., Salaneck W., Fahlman M. // Adv. Mater. 2009. V. 21. P. 1450. https://doi.org/10.1002/adma.200802893

Библиография

Комментарии

Войти через