Исследование особенностей концентрационных неоднородностей при наземной отработке космического эксперимента по росту кристаллов Gе(Ga)

Коробейникова Е. Н.

doi:10.31857/S0023476124040176

Главная>Номер выпуска 4>Исследование особенностей концентрационных неоднородностей при наземной отработке космического эксперимента по росту кристаллов Gе(Ga)

Исследование особенностей концентрационных неоднородностей при наземной отработке космического эксперимента по росту кристаллов Gе(Ga)

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Аннотация

Код статьи

S0023476124040176-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Коробейникова Е. Н. Связаться с автором

Аффилиация: Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Выпуск

Том 69 Номер выпуска 4

Страницы

700-704

Аннотация

Представлены результаты подготовки и наземной отработки космического эксперимента по выращиванию кристаллов Ge(Ga), планируемого на борту многофункционального лабораторного модуля в составе российского сегмента Международной космической станции. В условиях, моделирующих микрогравитацию, исследованы особенности формирования концентрационной неоднородности в виде полос роста при выращивании кристаллов в различных тепловых условиях (при наличии или отсутствии свободной поверхности расплава (конвекции Марангони)), а также при изменении технологических параметров (вариации скорости роста). По полученным результатам металлографических и электрофизических исследований сделаны выводы об особенностях влияния в условиях микрогравитации технологических параметров процесса кристаллизации на структурное совершенство выращиваемых кристаллов.

Источник финансирования

Правительство РФ.

Классификатор

Получено

22.09.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Коробейникова Е. Исследование особенностей концентрационных неоднородностей при наземной отработке космического эксперимента по росту кристаллов Gе(Ga) // Кристаллография. – 2024. – T. 69. – Номер выпуска 4 C. 700-704 . URL: https://crystallographyras.ru/s0023476124040176-1/?version_id=105514. DOI: 10.31857/S0023476124040176
MLA	Korobeynikova, E. N "Study of the features of concentration inhomogeneities during the on ground-based processing of the space experiment of the Ge(Ga) crystals growth." Crystallography Reports. 69.4 (2024).:700-704. DOI: 10.31857/S0023476124040176
APA	Korobeynikova E. (2024). Study of the features of concentration inhomogeneities during the on ground-based processing of the space experiment of the Ge(Ga) crystals growth. Crystallography Reports. vol. 69, no. 4, pp.700-704 DOI: 10.31857/S0023476124040176

Библиография

1. Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности. М.: Мир, 1991. 143 с.

2. Carlson D.J., Witt A.F. // J. Cryst. Growth. 1991. V. 108. P. 508. https://doi.org/10.1016/0022-0248 (91)90228-W

3. Wang C.A., Carlson D., Motakef S. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 264. P. 565. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2003.12.043

4. Голышев В.Д., Гоник М.А. Устройство для выращивания кристаллов. Патент РФ № 1800854, 1990.

5. Ostrogorsky A.G. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 104. P. 233. https://doi.org/10.1016/0022-0248 (90)90122-2

6. Волков П.К., Захаров Б.Г., Серебряков Ю.А. // Кристаллография. 2000. Т. 45. № 5. С. 935. https://doi.org/10.1134/1.1312937

7. Моризейн К., Витт А., Гейтос Х. // Проблемы роста кристаллов / Под ред. Шефталя Н.Н., Гиваргизова Е.И. М.: Мир, 1968. С. 251.

8. Serebryakov Yu.A., Prokhorov I.A., Vlasov V.N. et al. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 304. P. 11. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.01.045

9. Серебряков Ю.А., Сидоров В.С., Прохоров И.А. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2014. № 7. С. 49. https://doi.org/10.7868/S0207352814070166

10. Trumbore F.A., Porbansky E.M., Tartaglia A.A. // J. Phys. Chem. Solids. 1959. V. 11. P. 239. https://doi.org/10.1016/0022-3697 (59)90220-3

11. Bottago A., Zebib A. // J. Cryst. Growth. 1989. V. 97. P. 50.

12. Полежаев В.И., Простомолотов А.И., Верезуб Н.А. и др. // Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур. Труды второго симпозиума. Обнинск, 1998. С. 310.

13. Сидоров B.C., Захаров Б.Г., Серебряков Ю.А. и др. // Приборы и техника эксперимента. 1999. № 2. С. 148.

14. Сангвал К. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение. М: Мир, 1990. 492 с.

15. Власов В.Н., Серебряков Ю.А., Стрелов В.И. // Устройство для измерения распределения удельного сопротивления в полупроводниковых материалах. Патент РФ № 145584. Заявка № 2014115440 от 15.08.2014. Приоритет от 18.04.2014. Бюл. № 26. 20.09.2014.

16. Власов В.Н., Стрелов В.И., Коробейникова Е.Н. // Приборы и техника эксперимента. 2019. № 5. С. 114. https://doi.org/10.1134/S0032816219040311

17. Картавых А.В. // Кристаллография. 2000. Т. 45. № 6. С. 1108.

18. Стрелов В.И., Захаров Б.Г., Сидоров В.С. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2003. № 6. С. 77.

19. Стрелов В.И., Захаров Б.Г., Сидоров В.С. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2005. № 10. С. 80.

Библиография

Комментарии

Войти через