Атомистическое моделирование кристалла парателлурита α-TeO<sub>2</sub>. II. Анизотропия и микроскопика ионного транспорта

Иванов-Шиц А. К.

doi:10.31857/S0023476125010089

Главная>Номер выпуска 1>Атомистическое моделирование кристалла парателлурита α-TeO 2 . II. Анизотропия и микроскопика ионного транспорта

Атомистическое моделирование кристалла парателлурита α-TeO<sub>2</sub>. II. Анизотропия и микроскопика ионного транспорта

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Аннотация

Код статьи

S0023476125010089-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Иванов-Шиц А. К. Связаться с автором

Аффилиация: Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”

Выпуск

Том 70 Номер выпуска 1

Страницы

62-67

Аннотация

Методом молекулярной динамики исследованы особенности ионного переноса в кристаллах парателлурита α-TeO₂. Показано, что в α-TeO₂ ионный транспорт, обусловленный переносом кислорода, является анизотропным. Наибольшие значения коэффициентов диффузии наблюдаются вдоль оси с и составляют D_О ~ 1 × 10^–7 см²/с при температурах, близких к температуре плавления. Показано, что перескок ионов кислорода осуществляется на расстояния 1.5–2.5 Å по вакансионному или междоузельному механизму.

Классификатор

Получено

03.04.2025

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Иванов-Шиц А. Атомистическое моделирование кристалла парателлурита α-TeO₂. II. Анизотропия и микроскопика ионного транспорта // Кристаллография. – 2025. – T. 70. – Номер выпуска 1 C. 62-67 . URL: https://crystallographyras.ru/s0023476125010089-1/?version_id=105565. DOI: 10.31857/S0023476125010089
MLA	Ivanov-Schitz, А. K "Atomistic simulation of paratellurite α-TeO₂ crystal: II. Anisotropy and microscopic aspects of ion transport." Crystallography Reports. 70.1 (2025).:62-67. DOI: 10.31857/S0023476125010089
APA	Ivanov-Schitz �. (2025). Atomistic simulation of paratellurite α-TeO₂ crystal: II. Anisotropy and microscopic aspects of ion transport. Crystallography Reports. vol. 70, no. 1, pp.62-67 DOI: 10.31857/S0023476125010089

Библиография

1. Кондратюк И.П., Мурадян Л.А., Писаревский Ю.В. и др. // Кристаллография. 1987. Т. 32. С. 609.

2. Thomas P.A. // J. Phys. C. 1988. V. 21. P. 4611. http://stacks.iop.org/0022–3719/21/i=25/a=009

3. Дудка А.П., Головина Т.Г., Константинова А.Ф. // Кристаллография. 2019. Т. 64. С. 930. https://doi.org/10.1134/S0023476119060043

4. Arlt G., Schweppe H. // Solid State Commun. 1968. V. 6. P. 783. https://doi.org/10.1016/0038–1098 (68)90119–1

5. Wang P., Zhang Z. // Appl. Opt. 2017. V. 56. P. 1647. https://doi.org/10.1364/AO.56.001647

6. Li Y., Fan W., Sun H. et al. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 093506. https://doi.org/10.1063/1.3406135

7. Liu Z., Yamazaki T., Shen Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 173119. https://doi.org/10.1063/1.2732818

8. Ковальчук М.В., Благов А.Е., Куликов А.Г. и др. // Кристаллография. 2014. Т. 59. С. 950.

9. Куликов А.Г. Образование приповерхностных структур в кристаллах парателлурита и тетрабората лития при миграции носителей заряда во внешнем электрическом поле. Дис. … канд. физ.-мат. наук. Москва, 2019.

10. Иванов-Шиц А.К. //Кристаллография. 2024. Т. 69. № 6. С. 1009. https://doi.org/10.31857/S0023476124060116

11. Wegener J., Kanert O., Küchler R. et al. // Z. Naturforsch. А. 1994. V. 49. P. 1151. https://doi.org/10.1515/zna-1994-1208

12. Wegener J., Kanert O., Küchler R. et al. // Radiat. Eff. Defects Solids. 1995. V. 114. P. 277.

13. BatteryMaterials. https://pathfinder.batterymaterials.info/

14. Jain H., Nowick A.S. // Phys. Status Solidi. А. 1981. V. 67. P. 701. https://doi.org/10.1002/pssa.2210670242

15. Hartmann E., Kovács L. // Phys. Status Solidi. А. 1982. V. 74. P. 59. https://doi.org/10.1002/pssa.2210740105

Библиография

Комментарии

Войти через