Везде
Исследование флюоритового твердого раствора Pb<sub>0.5</sub>Cd<sub>0.25</sub>Lu<sub>0.25</sub>F<sub>2.25</sub> с конгруэнтным характером плавления
Оглавление
Аннотация Оценить Содержание публикации
Библиография Комментарии
Поделиться
QR
Метрика
Исследование флюоритового твердого раствора Pb<sub>0.5</sub>Cd<sub>0.25</sub>Lu<sub>0.25</sub>F<sub>2.25</sub> с конгруэнтным характером плавления
Аннотация
Код статьи
S0023476125010105-1
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Бучинская И. И.  
Аффилиация: Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Курчатовского комплекса кристаллографии и фотоники НИЦ “Курчатовский институт”
Выпуск
Том 70 Номер выпуска 1
Страницы
73-83
Аннотация
Впервые исследованы оптические, механические и проводящие свойства кристаллической матрицы Pb0.5Cd0.25Lu0.25F2.25 в сравнении с кристаллами исходных однокомпонентных фторидов. Коротковолновая граница прозрачности трехкомпонентного смешанного кристалла определяется присутствием в его составе PbF2, ИК-граница закономерно сдвигается до 15 мкм за счет наличия в составе LuF3. Значение показателя преломления изученного твердого раствора n = 1.6889 на длине волны λ = 0.6328 мкм ниже, чем у кристалла PbF2, за счет введения в состав менее поляризуемых компонентов CdF2 и LuF3. Для трехкомпонентного кристалла наблюдается существенное упрочнение, микротвердость HV = 2.5 ГПа, что превышает значения твердости PbF2 и CdF2 практически на 40%. Электропроводность Pb0.5Cd0.25Lu0.25F2.25 sdc при 500 K составляет 5.5 × 10−5 См/см, что соответствует уровню проводимости твердых растворов M1−xLuxF2+x (M = Ca, Sr, Ba). Изученный многокомпонентный фторидный материал может являться перспективной кристаллической средой для различных фотонных приложений.
Классификатор
Получено
03.04.2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
17
Оценка читателей
0.0 (0 голосов)
Цитировать   Скачать pdf

Библиография

1. Mouchovski J.T., Temelkov K.A., Vuchkov N.K. // Prog. Cryst. Growth Characteriz. Mater. 2011. V. 57. Р. 1. https://doi.org/10.1016/J.PCRYSGROW.2010.09.003

2. Fedorov P.P., Osiko V.V. // Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials / Eds. Capper P. Hoboken; NJ; USA: John Wiley Sons, Ltd. 2005. P. 339. https://doi.org/10.1002/9780470012086.ch11

3. Каримов Д.Н., Комарькова О.Н., Сорокин Н.И. и др. // Кристаллография. 2010. Т. 55. № 3. С. 556. https://doi.org/10.1134/S1063774510030247

4. Федоров П.П., Бучинская И.И. // Успехи химии. 2012. Т. 81. № 1. С. 1. https://doi.org/10.1070/RC2012v081n01ABEH004207

5. Bordj S., Satha H., Barros A. et al. // Opt. Mater. 2021. V. 118. P. 111249. https://doi.org/10.1016/j.optmat.2021.111249

6. Boubekri H., Fartas R., Diaf M. et al. // Luminescence. 2024. V. 39. № 4. P. e4719. https://doi.org/10.1002/bio.4719

7. Cheddadi A., Fartas R., Diaf M., Boubekri H. // J. Luminescence. 2024. V. 265. P. 120237. https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2023.120237

8. Tan J., Zhang P., Li Z., Chen Z. // Infrared Phys. Technol. 2024. V. 140. Р. 105391. https://doi.org/10.1016/j.infrared.2024.105391

9. Wang Y., Jiang C., Zhang P. et al. // J. Luminescence. 2019. V. 212. P. 160. https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2019.04.038

10. Huang X., Wang Y., Peixiong Z. et al. // J. Alloys Compd. 2019. V. 811. P. 152027. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.152027

11. Кавун В.Я., Слободюк А.В., Гончарук В.К., Лукиянчук Г.Д. // Вестн. ДВО РАН. 2009. № 2. С. 117.

12. Сорокин Н.И. // ФТТ. 2015. Т. 57. № 7. С. 1325.

13. Trnovcova V., Fedorov P.P., Ozvoldova M. et al. // J. Optoelectron. Adv. Mater. 2003. V. 5. P. 627.

14. Бучинская И.И., Федоров П.П. // Кристаллография. 2024. Т. 69. № 2. С. 353. https://doi.org/10.31857/S0023476124020194

15. Le Bail A. // Powder Diffraction. 2005. V. 20. P. 316. https://doi.org/10.1154/1.2135315

16. Petříček V., Dušek M., Palatinus L. // Z. Kristallogr. Cryst. Mater. 2014. B. 229. № 5. S. 345. https://doi.org/10.1515/zkri-2014-1737

17. Senguttuvan N., Aoshima M., Sumiya K., Ishibashil H. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 280. P. 462. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.03.085

18. Mott B.W. Micro-Indentation Hardness Testing. London, UK: Butterworths Scientific Publications, 1956.

19. Oliver W.C., Pharr G.M. // J. Mater. Res. 2004. V. 19. № 1. P. 3.

20. Anstis G.R., Chantikul Р., Lawn B.R., Marshall D.B. // J. Am. Ceram. Soc. 1981. V. 64. Р. 533.

21. Ladison J.L., Price J.J., Helfinstine J.D., Rosch W.R. // Proc. SPIE. Optical Microlithography XVIII. 2005. V. 5754. P. 1329.

22. Chen M., Jiang W., Cheng J., Chu X. // Solid State Phenomena. 2011. V. 175. P. 77.

23. Akchurin M.Sh., Basiev T.T., Demidenko A.A. et al. // Opt. Mater. 2013. V. 35. № 3. P. 444.

24. Ляпин А.А. // Спектрально-люминесцентные свойства монокристаллов и керамики CaF2:Tm, CaF2:Ho и их применение в лазерной физике. Дис. … канд. физ.-мат. наук. Саранск: ФГБОУ ВПО Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва, 2014. 142с.

25. Грязнов М.Ю., Шотин С.В., Чувильдеев В.Н. и др. // Кристаллография. 2012. Т. 57. № 1. С. 151.

26. Кузнецов С.В. // Синтез монокристаллов и нанопорошков твердых растворов фторидов щелочноземельных и редкоземельных металлов для фотоники. Дис. … канд. хим. наук. М.: МИТХТ, 2007. 206 с.

27. Каримов Д.Н., Бучинская И.И., Сорокин Н.И. и др. // Кристаллография. 2019. Т. 64. № 5. С. 831. https://doi.org/10.1134/S0023476119050102

28. Kishan Rao K., Sirdeshmukh D.B. // Bull. Mater. Sci. 1983. V. 5. P. 449.

29. Buchinskaya I.I., Fedorov P.P., Sobolev B.P. // Proc. SPIE 3178, Solid State Crystals: Growth and Characterization. 1997. V. 3178. P. 59. https://doi.org/10.1117/12.280705

30. Sobolev B.P. // Crystallography Reports. 2012. V. 57. № 3. Р. 434. https://doi.org/10.1134/S1063774512030194

31. Buchinskaya I.I., Goryachuk I.O., Sorokin N.I. et al. // Condens. Matter. 2023. V. 8. P. 73. https://doi.org/10.3390/condmat8030073

32. Krukowska-Fulde В., Niemyski T. // J. Cryst. Growth. 1967. V. 1. № 4. P. 183. https://doi.org/10.1016/0022-0248 (67)90051-6

33. Guo-Hao Ren, Dingzhong Shen, Shaohua Wang, Zhiwen Yin // J. Cryst. Growth. 2002. V. 243. P. 539. http://dx.doi.org/10.1016/S0022-0248 (02)01579-8

34. Guo-Hao Ren, Ding-Zhong Shen, Shao-Hua Wang, Zhi-Wen Yin // Chinese Phys. Lett. 2001. V. 18. № 7. Р. 976. http://dx.doi.org/10.1088/0256-307X/18/7/344

35. Ren G., Qun D., Li Z., Shen D. // J. Cryst. Growth. 2003. V. 247. № 1–2. Р. 141. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0248 (02)01952-8B

36. Воронкова Е.М., Гречушников Б.Н., Дистлер Г.И., Петров И.П. Оптические материалы для инфракрасной техники: Справочник. М.: Наука, 1965. 336 с.

37. Kosacki I., Langer J.M. // Phys. Rev. B. 1986. V. 33. P. 5972(R). https://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.33.5972

38. Сорокин Н.И., Каримов Д.Н., Бучинская И.И. // Электрохимия. 2021. Т. 57. № 8. С. 465. https://doi.org/10.31857/S0424857021070136

39. Kroger F.A., Vink H.J. // Solid State Physics / Eds. Seitz F., Turnbull D. N.Y.: Academic Press, 1956. V. 3. P. 307.

40. Bonne R.W., Schoonman J. // Solid State Commun. 1976. V. 18. P. 1005.

41. Сорокин Н.И., Федоров П.П., Соболев Б.П. // Неорган. матер. 1997. Т. 33. № 1. С. 5.

42. Popov P.A., Sidorov A.A., Kul’chenkov E.A. et al. // Ionics. 2016. V. 23. № 1. P. 223. https://doi.org/10.1007/s11581-016-1802-2

43. Мурин И.В., Глумов А.В., Глумов О.В. // Электрохимия. 1979. Т. 15. № 8. С. 1119.

44. Bonne R.W., Schoonman J. // J. Electrochem. Soc. 1977. V. 124. P. 28.

45. Сорокин Н.И., Федоров П.П., Иванов-Шиц А.К., Соболев Б.П. // ФТТ. 1988. Т. 30. № 5. С. 1537.

46. Ivanov-Shits A.K., Sorokin N.I., Fedorov P.P., Sobolev B.P. // Solid State Ionics. 1990. V. 37. P. 125.

47. Ivanov-Shits A.K., Sorokin N.I., Fedorov P.P., Sobolev B.P. // Solid State Ionics. 1989. V. 31. P. 253.

48. Ivanov-Shits A.K., Sorokin N.I., Fedorov P.P., Sobolev B.P. // Solid State Ionics. 1989. V. 31. P. 269.

Комментарии

Сообщения не найдены

Написать отзыв
Перевести