Влияние бегущего магнитного поля на параметры легированных Те монокристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского

Югова Т. Г.

doi:10.31857/S0023476124030036

Главная>Номер выпуска 3>Влияние бегущего магнитного поля на параметры легированных Те монокристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского

Влияние бегущего магнитного поля на параметры легированных Те монокристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Аннотация

Код статьи

S0023476124030036-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Югова Т. Г. Связаться с автором

Аффилиация: АО “Гиредмет”

Выпуск

Том 69 Номер выпуска 3

Страницы

393-399

Аннотация

Проведено исследование влияния бегущего магнитного поля на параметры монокристаллов GaAs, легированных Te, в диапазоне концентрации носителей заряда 5 × 10¹⁷–2 × 10¹⁸ см^–3. Бегущее магнитное поле в расплаве создавалось графитовым индуктором, находящимся в камере установки вокруг основного нагревателя. Показано, что магнитное поле при высоких частотах незначительно уменьшает плотность дислокаций в кристаллах, не меняя характер распределения дислокаций по их поперечному сечению. Магнитное поле влияет на распределение примеси по оси кристалла, почти вдвое увеличивая расстояние между “полосами роста” от 9 мкм без магнитного поля до 17 мкм при частоте поля 300 Гц.

Классификатор

Получено

03.09.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Югова Т. Влияние бегущего магнитного поля на параметры легированных Те монокристаллов GaAs, выращенных методом Чохральского // Кристаллография. – 2024. – T. 69. – Номер выпуска 3 C. 393-399 . URL: https://crystallographyras.ru/s0023476124030036-1/?version_id=105459. DOI: 10.31857/S0023476124030036
MLA	Yugova, T. G "Effect of a traveling magnetic field on the parameters of doped tellurium gallium arsenide single crystals grown by the chokhralsky method." Crystallography Reports. 69.3 (2024).:393-399. DOI: 10.31857/S0023476124030036
APA	Yugova T. (2024). Effect of a traveling magnetic field on the parameters of doped tellurium gallium arsenide single crystals grown by the chokhralsky method. Crystallography Reports. vol. 69, no. 3, pp.393-399 DOI: 10.31857/S0023476124030036

Библиография

1. Terashima K., Fukuda T. // J. Cryst. Growth. 1983. V. 63. P. 423. https://doi.org/10.1016/0022-0248 (83)90236-1

2. Osaka J., Kohda Н., Kobayashi Т., Hoshikawa К. // Jpn. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. P. L195. https://doi.org/10.1143/JJAP.23.L195

3. Terashima K., Katsumata T., Orito F. // Jpn. J. Appl. Phys. 1984. V. 23. P. L302. https://doi.org/10.1143/JJAP.23.L302

4. Hoshi K., Isawa N., Suzuki T., Ohkubo Y. // J. Electrochem. Soc. 1985. V. 132. P. 693. https://doi.org/10.1149/1.2113933

5. Terashima K., Fukuda T. // J. Cryst. Growth. 1983. V. 63. P. 425. https://doi.org/10.1016/0022-0248 (83)90236-1

6. Shiraishi Y., Takano K., Matsubara J. et al. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 229. P. 17. https://doi.org/10.1016/S0022-0248 (01)01042-9

7. Sleptsova I.V., Senchenkov A.S., Egorov A.V. et al. // Proceedings of Joint 10th European and 6th Russian Symposium on Physical Sciences in Microgravity. St. Petersburg. Russia. 15–21 June 1997. 2. P. 68.

8. Ataka M., Katoh E., Wakayama N.I. // J. Cryst. Growth. 1997. V. 173. P. 592. https://doi.org/10.1016/S0022-0248 (96)00821-4

9. Yesilyurt S., Motakef S., Grugel R., Mazuruk K. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 263. P. 80. https://doi.org/10.1016/J.JCRYSGRO.2003.11.066

10. Lyubimova T.P., Croёll A., Dold P. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. V. 266. P. 404. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.02.071

11. Rudolph P. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 1298. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.11.036

12. Gräbner O., Mühe A., Müller G. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 2000. V. 73. P. 130. https://doi.org/10.1016/S0921-5107 (99)00452-3

13. Vizman D., Gräbner O., Müller G. // J. Cryst. Growth. 2001. V. 233. P. 687. https://doi.org/10.1016/S0022-0248 (01)01633-5

14. Hurle D.T.J., Series R.W. // Handbook of Crystal Growth / Ed. Hurle D.T.J. North-Holland: Elsevier, 1994. V. 2a. P. 259. https://doi.org/10.1107/S010876739709990X

15. Kimura T., Katsumata T., Nakajima M. et al. // J. Cryst. Growth. 1986. V. 79. P. 264. https://doi.org/10.1016/0022-0248 (86)90447-1

16. Ozawa S., Nakayama H., Shiina Y. et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1989. V. 96. P. 343.

17. Rudolph P., Czupalla M., Lux B. // J. Cryst. Growth. 2009. V. 311. Р. 4543. https://www.researchgate.net/publication/282977027_Crystal_growth_from_melt_in_combined_heater-magnet_modules

18. Abrachams M.S., Buiocchi C.J. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 2855. https://doi.org/10.1063/1.1714594

19. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 75. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html

20. Ugova T.G., Belov A.G., Knyazev S.N. // Crystallography Reports. 2020. V. 65. P. 7. https://doi.org/10.1134/S1063774520010277

21. Патент DE10 2007 020 39 134 от 03.09.2009.

22. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 93. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html

23. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 172. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html

24. Scheel H.J. // J. Cryst. Growth. 2006. V. 287. Р. 214. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.10.100

Библиография

Комментарии

Войти через