ОФНКристаллография Crystallography Reports

  • ISSN (Print) 0023-4761
  • ISSN (Online) 3034-5510

Исследование кристаллической структуры эпитаксиальных наногетероструктур с множественными псевдоморфными квантовыми ямами {InхGa1–хAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) И (111)А

Код статьи
S0023476125010184-1
DOI
10.31857/S0023476125010184
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Том/ Выпуск
Том 70 / Номер выпуска 1
Страницы
133-140
Аннотация
Исследована кристаллическая структура эпитаксиальных многослойных пленок {In0.1Ga0.9As/GaAs} × × 10 и {In0.2Ga0.8As/GaAs} × 10 на подложках GaAs с различной ориентацией (100), (110), (111)А с целью выявления особенностей, которые могут быть связаны с обнаруженной ранее повышенной эффективностью генерации терагерцевого излучения в пленках с ориентацией (110) и (111)А. Обнаружены существенные концентрации двойников и дефектов упаковки в пленках на нестандартных подложках GaAs (110) и (111)А. С помощью анализа осцилляций толщины на кривых дифракционного отражения уточнен состав и толщины отдельных слоев гетероструктур на подложках GaAs (100).
Ключевые слова
Дата публикации
14.09.2025
Год выхода
2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
67

Библиография

  1. 1. Naftaly M., Vieweg N., Deninger A. // Sensors. 2019. V. 19. P. 4203. https://doi.org/ 10.3390/s19194203
  2. 2. Consolino L., Bartalini S., De Natale P. // J. Infrared Millim. Terahertz Waves. 2017. V. 38. P. 1289.
  3. 3. Hafez H.A., Chai X., Ibrahim A. et al. // J. Opt. 2016. V. 18. P. 093004. https://doi.org/10.1088/2040-8978/18/9/093004
  4. 4. Dhillon S.S., Vitiello M.S., Linfield E.H. et al. // J. Phys. D. 2017. V. 50. P. 043001. https://doi.org/10.1088/1361-6463/50/4/043001
  5. 5. Krotkus A. // J. Phys. D. 2010. V. 43. P. 273001. https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/27/273001
  6. 6. Burford N.M., El-Shenawee M.O. // Opt. Eng. 2017. V. 56. P. 010901. https://doi.org/10.1117/1.OE.56.1.010901
  7. 7. Apostolopoulos V., Barnes M.E. // J. Phys. D. 2014. V. 47. P. 374002. https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/37/374002
  8. 8. Castro-Camus E., Alfaro M. // Photon. Res. 2016. V. 4. P. A36. https://doi.org/10.1364/PRJ.4.000A36
  9. 9. Ilg M., Ploog K.H., Trampert A. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. № 23. P. 17111. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.17111
  10. 10. Климов Е.А., Клочков А.Н., Солянкин П.М. и др. // Квантовая электроника. 2024. Т. 54. № 1. С. 43.
  11. 11. Шик А.Я. Сверхрешетка // Большая российская энциклопедия: научно-образовательный портал. https://bigenc.ru/c/sverkhreshiotka-a2f3e5/?v=5490666
  12. 12. Yerino Christopher D., Liang Baolai, Huffaker Diana L. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2017. V. 35. P. 010801. https://doi.org/10.1116/1.4972049
  13. 13. Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. и др. // Микроэлектроника. 2023. Т. 52. № 3. С. 167. https://doi.org/10.31857/S054412692370031X
  14. 14. Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. // Нано- и микросистемная техника. 2022. Т. 24. № 6. С. 283. https://doi.org/10.17587/nmst.24.283-287
QR
Перевести

Индексирование

Scopus

Scopus

Scopus

Crossref

Scopus

Высшая аттестационная комиссия

При Министерстве образования и науки Российской Федерации

Scopus

Научная электронная библиотека