Исследование кристаллической структуры эпитаксиальных наногетероструктур с множественными псевдоморфными квантовыми ямами {InхGa1–хAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) И (111)А

Климов Е. А.

doi:10.31857/S0023476125010184

Главная>Номер выпуска 1>Исследование кристаллической структуры эпитаксиальных наногетероструктур с множественными псевдоморфными квантовыми ямами {In х Ga 1 –х As/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) И (111) А

Исследование кристаллической структуры эпитаксиальных наногетероструктур с множественными псевдоморфными квантовыми ямами {InхGa1–хAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) И (111)А

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Аннотация

Код статьи

S0023476125010184-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Климов Е. А. Связаться с автором

Аффилиация: Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Выпуск

Том 70 Номер выпуска 1

Страницы

133-140

Аннотация

Исследована кристаллическая структура эпитаксиальных многослойных пленок {In_0.1Ga_0.9As/GaAs} × × 10 и {In_0.2Ga_0.8As/GaAs} × 10 на подложках GaAs с различной ориентацией (100), (110), (111)А с целью выявления особенностей, которые могут быть связаны с обнаруженной ранее повышенной эффективностью генерации терагерцевого излучения в пленках с ориентацией (110) и (111)А. Обнаружены существенные концентрации двойников и дефектов упаковки в пленках на нестандартных подложках GaAs (110) и (111)А. С помощью анализа осцилляций толщины на кривых дифракционного отражения уточнен состав и толщины отдельных слоев гетероструктур на подложках GaAs (100).

Классификатор

Получено

04.04.2025

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Климов Е. Исследование кристаллической структуры эпитаксиальных наногетероструктур с множественными псевдоморфными квантовыми ямами {In_хGa₁_–хAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) И (111)А // Кристаллография. – 2025. – T. 70. – Номер выпуска 1 C. 133-140 . URL: https://crystallographyras.ru/s0023476125010184-1/?version_id=105575. DOI: 10.31857/S0023476125010184
MLA	Klimov, Е. А "Analysis of crystal structure of epitaxial nanoheterostructures with multiple pseudomorphic quantum wells {In_хGa₁_–хAs/GaAs} on GaAs (100), (110) AND (111) )А substrates." Crystallography Reports. 70.1 (2025).:133-140. DOI: 10.31857/S0023476125010184
APA	Klimov �. (2025). Analysis of crystal structure of epitaxial nanoheterostructures with multiple pseudomorphic quantum wells {In_хGa₁_–хAs/GaAs} on GaAs (100), (110) AND (111) )А substrates. Crystallography Reports. vol. 70, no. 1, pp.133-140 DOI: 10.31857/S0023476125010184

Библиография

1. Naftaly M., Vieweg N., Deninger A. // Sensors. 2019. V. 19. P. 4203. https://doi.org/ 10.3390/s19194203

2. Consolino L., Bartalini S., De Natale P. // J. Infrared Millim. Terahertz Waves. 2017. V. 38. P. 1289.

3. Hafez H.A., Chai X., Ibrahim A. et al. // J. Opt. 2016. V. 18. P. 093004. https://doi.org/10.1088/2040-8978/18/9/093004

4. Dhillon S.S., Vitiello M.S., Linfield E.H. et al. // J. Phys. D. 2017. V. 50. P. 043001. https://doi.org/10.1088/1361-6463/50/4/043001

5. Krotkus A. // J. Phys. D. 2010. V. 43. P. 273001. https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/27/273001

6. Burford N.M., El-Shenawee M.O. // Opt. Eng. 2017. V. 56. P. 010901. https://doi.org/10.1117/1.OE.56.1.010901

7. Apostolopoulos V., Barnes M.E. // J. Phys. D. 2014. V. 47. P. 374002. https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/37/374002

8. Castro-Camus E., Alfaro M. // Photon. Res. 2016. V. 4. P. A36. https://doi.org/10.1364/PRJ.4.000A36

9. Ilg M., Ploog K.H., Trampert A. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. № 23. P. 17111. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.17111

10. Климов Е.А., Клочков А.Н., Солянкин П.М. и др. // Квантовая электроника. 2024. Т. 54. № 1. С. 43.

11. Шик А.Я. Сверхрешетка // Большая российская энциклопедия: научно-образовательный портал. https://bigenc.ru/c/sverkhreshiotka-a2f3e5/?v=5490666

12. Yerino Christopher D., Liang Baolai, Huffaker Diana L. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2017. V. 35. P. 010801. https://doi.org/10.1116/1.4972049

13. Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. и др. // Микроэлектроника. 2023. Т. 52. № 3. С. 167. https://doi.org/10.31857/S054412692370031X

14. Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. // Нано- и микросистемная техника. 2022. Т. 24. № 6. С. 283. https://doi.org/10.17587/nmst.24.283-287

Библиография

Комментарии

Войти через